[发明专利]制造半导体器件的方法

说明书

本发明的实施例涉及制造半导体器件的方法。提供一种具有提高的可靠性的半导体器件。在一个实施例中的半导体器件中，与从在阻焊剂中提供的开口暴露的带状布线的键合区域对应地提供标记。作为结果，在用于接线键合区域的对准步骤中，可以不使用在阻焊剂中形成的开口的端部，而是使用与接线键合区域对应地提供的标记作为参考来调整接线键合区域的坐标位置。也在实施例中的半导体器件中形成用作调整图案的标记。这允许基于相机识别来调整接线键合区域。

本申请是申请日为2013年9月12日、申请号为201310425433.7、题为“制造半导体器件的方法”的发明专利申请的分案申请。

有关申请的交叉引用

于2012年9月13日提交的第2012-201566号日本专利申请的公开内容(包括说明书、说明书附图和说明书摘要)通过引用而整体结合于此。

技术领域

本发明涉及一种半导体器件制造技术，并且具体地涉及一种在应用于如下半导体器件制造技术时有效的技术，该半导体器件制造技术包括例如用金属接线将半导体芯片耦合到基材的步骤。

背景技术

日本待审专利公开号2007-214217(专利文献1)公开一种在布线板的半导体芯片装配区域周围放置用于施加电源电势或者参考电势(GND)电势的带状布线并且形成具有突出/凹陷形状的带状布线的技术。根据该技术，在带状布线中使用的突出/凹陷形状用于在接线键合期间的位置识别。

日本待审专利公开号2001-168223(专利文献2)公开一种提供具有突出部分的电源环而提供具有凹陷部分的GND环并且放置电源环和GND环使得突出部分和凹陷部分相互啮合的技术。根据该技术，通过如以上描述的那样配置电源环和GND环，增加耦合电容以允许减少切换噪声的影响。

日本待审专利公开号2004-103720(专利文献3)公开如下结构，在该结构中，如专利3的图7中所示，例如在布线板内提供将耦合到 GND环和在GND环外部设置的电源环的接线。

[有关领域文献]

[专利文献]

[专利文献1]

日本待审专利公开号2007-214217

[专利文献2]

日本待审专利公开号2001-168223

[专利文献3]

日本待审专利公开号2004-103720

发明内容

例如在半导体器件中，使用金属接线将在布线板之上装配的半导体芯片中形成的焊盘耦合到在布线板之上形成的端子。具体而言，在稳定电源电势和参考电势(接地电势或者GND电势)方面，在一些半导体器件中，可以在以上提到的端子(键合指)旁边在布线板之上提供带状布线。也就是说，可以在布线板之上提供电源电势和参考电势被施加到的带状布线，并且使用多个金属接线将该带状布线耦合到半导体芯片，以稳定向半导体芯片供应的电源电势和参考电势。

通常使用如下配置，在该配置中，不完全暴露以上描述的带状布线，但是其主要部分由称为阻焊剂的绝缘膜覆盖，并且金属接线耦合到从在阻焊剂中提供的开口暴露的带状布线的暴露区域。

这时，在阻焊剂中形成开口的准确性通常低于形成带状布线的准确性，在阻焊剂中形成的开口可能从其设计位置移置。本发明人已经认识到，在这一情况下，遇到如下情形，在该情形中，金属接线被耦合到的带状布线的暴露区域由阻焊剂覆盖从而造成不能正常执行接线键合的问题。

本发明的其它问题和新颖特征将根据本说明书和附图的陈述而变得清楚。