[发明专利]制造半导体器件的方法有效

专利信息
申请号: 201711319780.6 申请日: 2013-09-12
公开(公告)号: CN108109926B 公开(公告)日: 2021-02-23
发明(设计)人: 广永兼也;安永雅敏;平井达也;黑田壮司 申请(专利权)人: 瑞萨电子株式会社
主分类号: H01L21/48 分类号: H01L21/48;H01L21/50;H01L23/00;H01L23/31;H01L23/498
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 王茂华;董典红
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 制造 半导体器件 方法
【权利要求书】:

1.一种制造半导体器件的方法,包括以下步骤:

(a)提供布线板,所述布线板包括在其之上形成有绝缘膜和多个布线的第一表面;

(b)在步骤(a)之后,在所述布线板的所述第一表面之上安装半导体芯片,所述半导体芯片包括在其之上形成有多个第一焊盘的第一表面;以及

(c)在步骤(b)之后,经由第一接线将所述半导体芯片的所述多个第一焊盘中的第二焊盘电耦合到所述多个布线中的第一布线,以及经由第二接线将所述半导体芯片的所述多个第一焊盘中的第三焊盘电耦合到所述多个布线中的所述第一布线,

其中在平面图中,所述半导体芯片的所述第一表面具有沿着其布置有所述半导体芯片的所述多个第一焊盘的第一侧,

其中在平面图中,所述半导体芯片的所述第一侧在第一方向上延伸,

其中在平面图中,所述第一布线被覆盖有所述绝缘膜,使得所述第一布线的一部分从所述绝缘膜的第一开口露出,

其中在平面图中,所述绝缘膜的所述第一开口具有多个侧,

其中在平面图中,所述第一开口的第一侧和所述第一开口的第二侧沿所述半导体芯片的所述第一侧布置,

其中在平面图中,所述第一开口的所述第二侧位于所述半导体芯片的所述第一侧和所述第一开口的所述第一侧之间,

其中在平面图中,所述第一开口的第三侧和所述第一开口的第四侧在与所述第一方向相交的第二方向上延伸,

其中在平面图中,所述第一布线的所述一部分从所述第一开口的所述第三侧延伸到所述第一开口的所述第四侧,并且沿着所述半导体芯片的所述第一侧延伸,

其中在平面图中,所述第一布线的所述一部分具有第一区域和第二区域,

其中所述第一布线的所述第一区域具有第一部分和第二部分,在平面图中所述第二部分与所述第一布线的所述第一部分相邻并且也与所述第一开口的所述第四侧相交,

其中在平面图中,在所述第一布线的所述第一区域的所述第一部分处,所述第一布线的所述第二区域从所述第一布线的所述第一区域朝向所述第一开口的所述第一侧突出,

其中在平面图中,所述第一布线的所述一部分具有沿着所述半导体芯片的所述第一侧延伸并且从所述第一开口的所述第三侧延伸到所述第一开口的所述第四侧的第一侧,

其中在平面图中,所述第一布线的所述第一区域的所述第二部分具有沿着所述半导体芯片的所述第一侧延伸并且从所述第一布线的所述一部分的所述第二区域延伸到所述第一开口的所述第四侧的第二侧,

其中在平面图中,所述第一布线的所述第二部分的所述第二侧位于所述第一开口的所述第一侧与所述第一布线的所述一部分的所述第一侧之间,

其中在平面图中,所述第一布线的所述一部分的所述第一侧位于所述第一开口的所述第二侧与所述第一布线的所述第二部分的所述第二侧之间,

其中步骤(c)包括步骤(c1)至(c4):

(c1)检测所述第一布线的所述第二区域,以由此指定所述第一布线的所述第一区域的所述第一部分的位置;

(c2)在步骤(c1)之后,基于在步骤(c1)中指定的所述第一布线的所述第一部分的位置,将所述第一接线电耦合到所述第一布线的所述第一部分;

(c3)检测所述第一布线的所述第二区域,以由此指定所述第一布线的所述第一区域的所述第二部分的位置;以及

(c4)在步骤(c3)之后,基于在步骤(c3)中指定的所述第一布线的所述第二部分的位置,将所述第二接线电耦合到所述第一布线的所述第二部分,以及

其中在步骤(c)中,在所述第一布线的所述第一区域的所述第一部分处,将所述第一接线电耦合到所述第一布线。

2.根据权利要求1所述的方法,还包括以下步骤:

(d)在步骤(c)之后,用树脂密封所述布线板的所述第一表面、所述半导体芯片和所述第一接线,

其中所述半导体芯片的所述多个第一焊盘包括第四焊盘,

其中在平面图中,所述布线板具有第一焊区端子,所述第一焊区端子被形成在所述第一表面之上并且从所述绝缘膜的第二开口露出,

其中向所述第一焊区端子施加第一电势,

其中向所述第一接线施加第二电势,所述第二电势不同于所述第一电势,

其中在步骤(c)中,经由第三接线将所述第四焊盘电耦合到所述第一焊区端子,以及

其中在平面图中,所述第三接线沿所述第一接线延伸并且邻近所述第一接线而定位。

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