[发明专利]半导体器件中制造存储节点接触的方法及半导体器件

说明书

本发明提供一种半导体器件中制造存储节点接触的方法及半导体器件，方法包括在半导体衬底中形成有源区、沟槽隔离结构、字线和位线，在位线之间形成接触窗，在接触窗内形成源极触点和间隔壁，去除部分源极触点以使源极触点显露的端面面积大于间隔壁围成的面积，并形成存储节点接触。半导体器件包括半导体衬底上形成的有源区、沟槽隔离结构、字线和位线；位线之间设有接触窗，接触窗中设有源极触点和间隔壁；源极触点与间隔壁之间设有扩展区以使源极触点显露的端面面积大于间隔壁围成的面积，并形成存储节点接触。本发明通过增加源极触点显露端面的接触面积，使存储节点接触和源极触点的接合层接触面积最大化，提高半导体器件的导电性能。

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，具体涉及一种半导体器件中制造存储节点接触的方法及半导体器件。

背景技术

存储器通常包括存储电容器以及连接到所述存储元件的存储晶体管，所述存储电容器用来存储代表存储信息的电荷。所述存储晶体管中形成有源区、漏区和栅极结构。所述栅极结构连接至字线，用于控制所述源区和漏区之间的电流流动。所述源区用于构成位线接触区，用以连接至位线，所述漏区用于构成存储节点接触区，以连接至存储电容器。其中，在将所述存储节点接触区连接至所述存储电容器时，通常需在所述存储节点接触区上形成存储节点接触，以通过所述存储节点接触实现存储节点接触区和所述存储电容器之间的电性连接。

随着半导体接触制造工艺变得更精细，而且存储节点接触形成在半导体衬底上，以至于设计规则减小之前相比节点之间的间隔变得更窄，存储节点接触与存储节点接触区之间无法充分接触，则导致接触界面的金属接合层生长不稳定，从而产生较大的接触电阻，对存储器的性能产生不利的影响，影响严重时，器件不能正常工作。

发明内容

本发明实施例提供一种半导体器件中制造存储节点接触的方法及半导体器件以至少解决现有技术中的以上技术问题。

为达到上述目的，本发明实施例提供了一种半导体器件中制造存储节点接触的方法，包括：

提供一半导体衬底，在所述半导体衬底中形成有源区、隔离各所述有源区的沟槽隔离结构、多条字线，以及在所述半导体衬底上形成多条位线；

形成位线隔离结构于所述半导体衬底上以覆盖所述位线；

刻蚀所述位线隔离结构之间的所述有源区至露出所述有源区的源极区，以形成接触窗；

形成源极触点于所述有源区在相邻所述字线之外的源极区上，并且所述源极触点形成于所述接触窗底部；

形成间隔壁于所述位线隔离结构在所述接触窗内的侧壁上，在所述间隔壁下端面与所述源极触点之间形成扩展间隙，相邻所述间隔壁之间形成通道孔，所述扩展间隙与所述通道孔连通；

形成存储节点接触于所述源极触点上，所述存储节点接触包括填充所述扩展间隙形成的扩展底部和形成于所述通道孔内的填孔部；其中，所述扩展底部与所述源极触点的接合面积不小于所述填孔部沿水平方向截取的截面积。

在一可实施方式中，在所述半导体衬底中形成多条棒状有源区，所述沟槽隔离结构形成于所述棒状有源区之间，所述棒状有源区与所述沟槽隔离结构沿第一方向交替排列在所述半导体衬底上，所述字线沿第二方向掩埋于所述半导体衬底中，并且所述第一方向和所述第二方向相交，所述位线沿第三方向形成于所述半导体衬底表面，并且所述第三方向与所述第二方向垂直；

还包括：

形成位线触点于所述有源区在相邻所述字线之间的漏极区上，并且所述位线触点位于所述位线和所述有源区的交迭区域中。

在一可实施方式中，形成所述扩展间隙包括：

通过各向同性刻蚀方式，刻蚀部分所述源极触点，以形成所述扩展间隙；

其中，所述各向同性刻蚀包括各向同性湿刻蚀和/或各向同性干刻蚀。