[发明专利]半导体器件中制造存储节点接触的方法及半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件中制造存储节点接触的方法，其特征在于，包括：

提供一半导体衬底，在所述半导体衬底中形成有源区、隔离各所述有源区的沟槽隔离结构、多条字线，以及在所述半导体衬底上形成多条位线；

形成位线隔离结构于所述半导体衬底上以覆盖所述位线；

刻蚀所述位线隔离结构之间的所述有源区至露出所述有源区的源极区，以形成接触窗；

形成源极触点于所述有源区在相邻所述字线之外的源极区上，并且所述源极触点形成于所述接触窗底部；

形成间隔壁于所述位线隔离结构在所述接触窗内的侧壁上，在所述间隔壁下端面与所述源极触点之间形成扩展间隙，相邻所述间隔壁之间形成通道孔，所述扩展间隙与所述通道孔连通；

形成存储节点接触于所述源极触点上，所述存储节点接触包括填充所述扩展间隙形成的扩展底部和形成于所述通道孔内的填孔部；其中，所述扩展底部与所述源极触点的接合面积不小于所述填孔部沿水平方向截取的截面积。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述半导体衬底中形成多条棒状有源区，所述沟槽隔离结构形成于所述棒状有源区之间，所述棒状有源区与所述沟槽隔离结构沿第一方向交替排列在所述半导体衬底上，所述字线沿第二方向掩埋于所述半导体衬底中，并且所述第一方向和所述第二方向相交，所述位线沿第三方向形成于所述半导体衬底表面，并且所述第三方向与所述第二方向垂直；

还包括：

形成位线触点于所述有源区在相邻所述字线之间的漏极区上，并且所述位线触点位于所述位线和所述有源区的交迭区域中。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述扩展间隙包括：

通过各向同性刻蚀方式，刻蚀部分所述源极触点，以形成所述扩展间隙；

其中，所述各向同性刻蚀包括各向同性湿刻蚀和/或各向同性干刻蚀。

4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述各向同性刻蚀的刻蚀量不大于15nm。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，形成位线隔离结构包括：

形成第一隔离层于所述位线上；及

形成第二隔离层于所述位线侧面、所述第一隔离层侧面和顶部；

所述第二隔离层的形成包括：

形成内层绝缘层，所述内层绝缘层覆盖于所述第一隔离层和所述位线的侧面；

形成氧化层，所述氧化层覆盖于所述内层绝缘层的侧面；及

形成外层绝缘层，所述外层绝缘层覆盖于所述氧化层的表面以及所述第一隔离层的顶部。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述存储节点接触之前还包括：

去除部分所述位线隔离结构，以显露出所述位线隔离结构顶部；

形成所述存储节点接触的步骤包括：

形成金属接合层于所述源极触点显露出的端面上；

形成第一导电层，所述第一导电层通过化学气相沉积方式形成在所述金属接合层上，并呈一体式覆盖在所述扩展间隙、所述间隔壁、所述位线隔离结构的表面上；及

形成第二导电层，所述第二导电层沉积在所述第一导电层上以填充所述接触窗，并且所述第二导电层覆盖所述位线隔离结构顶部以包裹所述第一导电层。

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述存储节点接触还包括高于所述位线隔离结构且沿所述第二导电层上端向下一体延伸的电容接触部，所述电容接触部的一侧局部延伸至所述位线隔离结构上，所述电容接触部的另一侧由缺口界定，所述缺口局部蚀除所述位线隔离结构，以使所述电容接触部的上表面中心点相对偏离所述扩展底部的接合面中心点。