[发明专利]光刻装置

说明书

本发明提供一种光刻装置。该光刻装置包括：掩模版，具有彼此相反的第一表面和第二表面以及形成在第一表面上的图案区域；掩模版台，面对掩模版的第二表面，掩模版台用于夹住掩模版；在容纳掩模版和掩模版台的腔室内的保护导体；以及电源，用于供给电压到保护导体。

技术领域

本公开涉及光刻装置，更具体而言，涉及利用极紫外(EUV)光的光刻装置。

背景技术

EUV光刻，其提供比通过利用光学光刻能获得的图案分辩率更精细的图案分辩率，是下一代光刻的杰出候选者。利用EUV光刻提高分辩率是由于EUV光刻利用在11nm-15nm波长范围内的波长进行的事实，而光学光刻利用在150nm-250nm范围内的波长进行。通常，随着以光刻来图案化图像中所使用的光的波长减小，所得分辩率增大。

EUV光在穿过空气传输时衰减，并且目前没有已知的材料具有适合于被用作EUV透镜的EUV光的透射率和折射率。结果，EUV光刻利用反射光学反射镜在高真空下进行以照射EUV光到掩模版(reticle)上并且将被照射的图案从掩模版投射到基板上。因此，用于EUV光刻的掩模版是反射掩模版，而不是在光学微光刻中使用的透明掩模版。

在光学微光刻中使用蒙版(pellicle)来保护掩模版免受颗粒污染。蒙版是在覆盖掩模版的图案化表面的框上的透明薄膜。然而，在EUV光刻中，蒙版可以不与掩模版一起使用，因为蒙版吸收EUV光，导致基本上没有EUV光剩余以将图案图像投射到基板上。因此，EUV光刻的掩模版应该在没有蒙版的情况下使用。

发明内容

根据本公开的一方面，光刻装置包括：掩模版，包括彼此相反的第一表面和第二表面以及在第一表面上的图案区域；掩模版台，面对掩模版的第二表面并且配置为夹住掩模版；以及电源，用于提供负电压到掩模版的第一表面以便防止颗粒吸附在掩模版上。

根据本公开的另一方面，光刻装置包括：掩模版，包括彼此相反的第一表面和第二表面以及在第一表面上的图案区域；掩模版台，面对掩模版的第二表面并且配置为夹住掩模版；以及电场帘，布置为调节在掩模版的第一表面上或者在掩模版的周边上的颗粒的移动方向并且包括至少一个导体。

根据本公开的再一方面，光刻装置包括：第一子腔室，包括设置在其中的至少一个照射系统反射镜以反射曝光光；掩模版台模块，包括反射从所述第一子腔室输出的曝光光的掩模版；第二子腔室，包括在其中的至少一个投影光学系统反射镜以投射被反射的曝光光到晶片上；以及晶片台，晶片将被夹到晶片台，其中掩模版包括曝光光入射在其上的第一表面以及在第一表面上的图案区域，并且负电压被施加到掩模版的第一表面以便阻挡颗粒吸附在掩模版上。

根据本公开的再一方面，光刻装置包括：源，配置为提供曝光光；第一子腔室，包括设置在其中的至少一个照射系统反射镜以反射曝光光；掩模版台模块，包括掩模版以反射被照射系统反射镜反射到其上的曝光光；第二子腔室，包括设置在其中的至少一个投影光学系统反射镜以投射被反射的曝光光到晶片上；以及晶片台，晶片将被夹到晶片台，晶片台在包括第一子腔室和第二子腔室的主腔室中，其中主腔室、第一子腔室和第二子腔室中的至少一个包括颗粒捕获电极，颗粒捕获电极被施加有正电压。

根据本公开的又一方面，光刻装置可以包括：掩模版，具有彼此相反的第一表面和第二表面以及形成在第一表面上的图案区域；掩模版台，面对掩模版的第二表面，掩模版台用于夹住掩模版；保护导体，在容纳掩模版和掩模版台的腔室内；以及电源，用于供给电压到保护导体。

附图说明

通过参考附图详细描述示范实施方式，特征对于本领域技术人员将变得明显，在附图中：

图1示出被提供来说明根据一些示范实施方式的光刻装置的示意图。

图2示出被提供来说明图1的掩模版被夹到掩模版台的视图。

图3示出被提供来说明图1的掩模版台模块的视图。