[发明专利]光刻装置

权利要求书

1.一种光刻装置，包括：

掩模版，具有沿第一方向彼此相反的第一表面和第二表面以及形成在所述第一表面上的图案区域；

掩模版台，面对所述掩模版的所述第二表面，所述掩模版台用于夹住所述掩模版并且包括面对所述掩模版的第三表面；

电场帘，连接到所述掩模版的所述第一表面或者所述掩模版台的所述第三表面的被所述掩模版露出的部分，布置为调节在所述掩模版的所述第一表面上或者在所述掩模版的周边上的颗粒的移动方向，并且所述电场帘包括至少一个导体，所述电场帘在所述第一方向上延伸而远离所述掩模版台和所述掩模版的所述第一表面；

第一电源，用于提供负电压到所述掩模版的所述第一表面以便防止颗粒吸附在所述掩模版上；以及

第二电源，提供电压至所述至少一个导体。

2.如权利要求1所述的光刻装置，还包括电子供给源以提供电子到在所述掩模版的所述第一表面上或者在所述掩模版的周边上的所述颗粒。

3.如权利要求1所述的光刻装置，其中：

所述至少一个导体被施加有负电压，并且

所述电场帘通过施加排斥力到所述颗粒而引起所述颗粒远离所述掩模版移动。

4.如权利要求1所述的光刻装置，其中：

所述至少一个导体被施加有正电压，并且

所述电场帘通过在所述颗粒到达所述掩模版之前向所述颗粒施加吸引力而捕获所述颗粒。

5.如权利要求1所述的光刻装置，其中：

所述电场帘包括将被提供有负电压的第一导体和将被提供有正电压的第二导体，并且

所述电场帘在从所述第一导体到所述第二导体的方向上移动所述颗粒。

6.如权利要求1所述的光刻装置，其中所述掩模版用静电力被夹到所述掩模版台。

7.一种光刻装置，包括：

源，用于提供曝光光；

第一子腔室，包括设置在其中以反射所述曝光光的至少一个照射系统反射镜；

掩模版台模块，包括反射从所述第一子腔室输出的所述曝光光的掩模版，其中所述掩模版包括所述曝光光入射在其上的第一表面、沿第一方向与所述第一表面相反的第二表面以及在所述第一表面上的图案区域；

第二子腔室，包括在其中的至少一个投影光学系统反射镜以投射从所述掩模版反射的所述曝光光到晶片上；以及

晶片台，所述晶片将被夹到所述晶片台，

其中所述掩模版台模块还包括：

掩模版台，面对所述掩模版的所述第二表面，所述掩模版台用于夹住所述掩模版并且包括面对所述掩模版的第三表面；

电场帘，连接到所述掩模版的所述第一表面或者所述掩模版台的所述第三表面的被所述掩模版露出的部分，布置为调节在所述掩模版的所述第一表面上或者在所述掩模版的周边上的颗粒的移动方向，并且所述电场帘包括至少一个导体，所述电场帘在所述第一方向上延伸而远离所述掩模版台和所述掩模版的所述第一表面；

第一电源，用于提供负电压到所述掩模版的所述第一表面以便阻挡颗粒吸附在所述掩模版上；以及

第二电源，提供电压至所述至少一个导体。

8.如权利要求7所述的光刻装置，其中所述掩模版台模块还包括电子供给源以提供电子到在所述掩模版的所述第一表面上或者在所述掩模版的周边上的所述颗粒。

9.如权利要求7所述的光刻装置，其中所述第二子腔室还包括在所述第二子腔室内的颗粒捕获电极，所述颗粒捕获电极被施加有正电压。

10.如权利要求7所述的光刻装置，其中所述曝光光是极紫外光。

11.如权利要求7所述的光刻装置，其中：

所述至少一个导体被施加有负电压，并且

所述电场帘通过施加排斥力到所述颗粒而引起所述颗粒远离所述掩模版移动。