[发明专利]一种N型硅太阳能电池的热激活处理方法

说明书

本申请公开了一种N型硅太阳能电池的热激活处理方法，在1000w/m2至1200w/m2的光强范围和预设温度范围内对N型硅太阳能电池进行照射，并持续预设时间范围。上述N型硅太阳能电池的热激活处理方法，能够在低成本的基础上更好的减少硅片内部缺陷，进一步提高成品电池的转换效率。

技术领域

本发明属于光伏电池制造技术领域，特别是涉及一种N型硅太阳能电池的热激活处理方法。

背景技术

太阳能行业作为清节能源产业之一，现阶段正在飞速的发展，其中以硅基电池的应用最为广泛，因而其效率的提升也一直受到人们的关注。目前P型晶硅电池具有成本低廉和工艺成熟等优点，但由于P型电池片具有光致衰减、基体寿命不高等特点，其在高效方面仍瓶颈较大。目前P型晶硅电池占据晶硅电池市场的绝对份额，然而，不断追求效率提升和成本降低是光伏行业永恒的主题，N型单晶硅较常规的P型单晶硅具有少子寿命高、光致衰减小、弱光相应号、温度系数低等优点，其电池输出功率较单面电池高10％-30％，N型电池正面效率已达到很高，一般为21％以上，还有更大的效率提升空间。

N型太阳电池的制造过程中需多次经历不同热过程，如硼扩、磷扩、热氧、 PECVD沉积Si3N4和烧结等过程，这些过程中它们对硅材料内部结构与状态产生影响，主要为热衰退时的电学性能下降和内部缺陷态增加。现有的恢复炉设备，其在P型电池片上有一定提效与减少光致衰减的作用，需200℃至300℃的高温及6w/m2至10*103w/m2的高光强，造成大量能源消耗，成本优势下降，并且N型电池片运用此设备效率增益较小，且目前的恢复炉为链式恢复炉，作用时间不能达到提效要求。

发明内容

为解决上述问题，本发明提供了一种N型硅太阳能电池的热激活处理方法，能够在低成本的基础上更好的减少硅片内部缺陷，进一步提高成品电池的转换效率。

本发明提供的一种N型硅太阳能电池的热激活处理方法，在1000w/m2至 1200w/m2的光强范围和预设温度范围内对N型硅太阳能电池进行照射，并持续预设时间范围。

优选的，在上述N型硅太阳能电池的热激活处理方法中，所述预设温度范围为40℃至80℃。

优选的，在上述N型硅太阳能电池的热激活处理方法中，所述预设时间范围为20分钟至100分钟。

优选的，在上述N型硅太阳能电池的热激活处理方法中，所述预设温度范围为50℃至60℃。

优选的，在上述N型硅太阳能电池的热激活处理方法中，所述预设时间范围为40分钟至60分钟。

优选的，在上述N型硅太阳能电池的热激活处理方法中，所述对N型硅太阳能电池进行照射为：

利用光浸润箱对所述N型硅太阳能电池进行照射。

通过上述描述可知，本发明提供的上述N型硅太阳能电池的热激活处理方法，由于在1000w/m2至1200w/m2的光强范围和预设温度范围内对N型硅太阳能电池进行照射，并持续预设时间范围，可见该方案所用的光强更低，因此能够在低成本的基础上更好的减少硅片内部缺陷，进一步提高成品电池的转换效率。

具体实施方式

本发明的核心思想在于提供一种N型硅太阳能电池的热激活处理方法，能够在低成本的基础上更好的减少硅片内部缺陷，进一步提高成品电池的转换效率。