[发明专利]一种N型硅太阳能电池的热激活处理方法在审
| 申请号： | 201711308971.2 | 申请日： | 2017-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN108091726A | 公开（公告）日： | 2018-05-29 |
| 发明（设计）人： | 陈周;包健;金浩;张昕宇;王海涛;徐冠群;廖晖;左严严 | 申请（专利权）人： | 浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 罗满 |
| 地址： | 314416 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 热激活 预设 成品电池 内部缺陷 转换效率 低成本 硅片 光强 照射 申请 | ||
【权利要求书】：
1.一种N型硅太阳能电池的热激活处理方法，其特征在于，在1000w/m
2.根据权利要求1所述的N型硅太阳能电池的热激活处理方法，其特征在于，所述预设温度范围为40℃至80℃。
3.根据权利要求1所述的N型硅太阳能电池的热激活处理方法，其特征在于，所述预设时间范围为20分钟至100分钟。
4.根据权利要求2所述的N型硅太阳能电池的热激活处理方法，其特征在于，所述预设温度范围为50℃至60℃。
5.根据权利要求3所述的N型硅太阳能电池的热激活处理方法，其特征在于，所述预设时间范围为40分钟至60分钟。
6.根据权利要求1-5任一项所述的N型硅太阳能电池的热激活处理方法，其特征在于，所述对N型硅太阳能电池进行照射为：
利用光浸润箱对所述N型硅太阳能电池进行照射。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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