[发明专利]晶片的加工方法

说明书

提供晶片的加工方法，能够在晶片正面的器件区域被保护膜覆盖的状态下进行等离子照射，并能够抑制器件的损伤。一种晶片的加工方法，包含如下的工序：保护膜形成工序，形成将晶片(W)的正面整体包覆的保护膜(70)；激光照射工序，沿着间隔道(ST)照射激光(LB)而将功能层(72)去除，并使基板(71)露出；保护膜检测工序，对激光照射后的晶片上的多个器件(DV)区域中的保护膜的包覆状态进行检测；保护膜再形成工序，当在器件区域中存在未包覆保护膜的部分的情况下，再次形成保护膜以便将各器件区域覆盖；等离子照射工序，对晶片进行等离子照射；以及分割工序，通过沿着间隔道的切削对晶片进行分割。

技术领域

本发明涉及晶片的加工方法，将晶片沿着间隔道分割成芯片，该晶片在层叠于基板的正面上的功能层上在由形成为格子状的多条间隔道划分的多个区域内分别形成有器件。

背景技术

在半导体器件的制造工艺中，在硅等基板的正面上设置由绝缘膜和功能膜层叠而成的功能层来构成晶片，在功能层上形成由格子状的间隔道划分的多个器件。然后，沿着间隔道对晶片进行分割而得到多个器件。如果在晶片的分割时进行使用了切削刀具的切削加工，则由于基板与功能层之间的物质特性的差异等原因，可能会在沿着间隔道上的分割线的区域之外产生功能层的剥离(膜剥离)。例如，由于作为功能层的代表性的Low-K膜(低介电常数绝缘体包覆膜)比基板脆，所以在进行使用了切削刀具的分割时容易产生膜剥离。

作为其对策，提出了如下技术：在晶片的正面上形成保护膜，沿着间隔道照射激光而进行激光烧蚀，将Low-K膜那样的功能层和基板的一部分去除(例如，专利文献1)。通过保护膜来防止因激光烧蚀产生的碎屑附着在器件上。在激光烧蚀之后将保护膜去除而使用切削刀具沿着间隔道将晶片分割成多个器件。

专利文献1：日本特开2015-79790号公报

当如专利文献1那样对晶片进行沿着间隔道的激光烧蚀时，会因来自激光的热量输入而对基板造成损伤。于是，当在下一个分割工序中进行切削加工时，可能以损伤为起点在基板上的间隔道的侧面产生裂纹(侧壁裂纹)。作为该对策，公知有如下技术：在激光照射后对晶片进行等离子处理(照射)，将因激光照射产生的损伤去除。

为了防止因等离子照射而对晶片上的器件造成损伤，优选在将保护膜包覆在晶片的除间隔道区域之外的正面(特别是器件区域)上的状态下进行等离子照射。但是，在进行激光烧蚀时因激光照射而产生等离子，有时保护膜在间隔道区域以外的部分中会出现局部破损。当在该状态下对晶片进行等离子照射时，可能会对器件造成损伤。

发明内容

本发明是鉴于这样的点而完成的，其目的在于提供晶片的加工方法，能够在晶片正面的器件区域被保护膜覆盖的状态下进行等离子照射，能够抑制器件的损伤。

根据本发明，提供晶片的加工方法，沿着间隔道对晶片进行分割，该晶片在层叠于基板的正面上的功能层上在由形成为格子状的多条该间隔道划分的多个区域中分别形成有器件，该晶片的加工方法的特征在于，具有如下的工序：保护膜形成工序，对该晶片正面提供水溶性树脂而形成将该晶片正面整体包覆的保护膜；激光照射工序，沿着该间隔道经由该保护膜而照射激光从而将该功能层去除，并使该基板露出；保护膜检测工序，在实施了该激光照射工序之后，对该晶片上的形成有多个器件的区域是否包覆有该保护膜进行检测；保护膜再形成工序，当在该保护膜检测工序中检测到的结果是在该形成有多个器件的区域中存在未包覆该保护膜的部分的情况下，再次形成保护膜以便将该形成有多个器件的区域分别覆盖；等离子照射工序，在该保护膜再形成工序之后对该晶片进行等离子照射；以及分割工序，在该等离子照射工序之后，沿着该间隔道对晶片进行切削而将该晶片分割成各个芯片。

根据该加工方法，再次形成保护膜以便将多个器件区域分别覆盖，之后进行等离子照射，因此，即使在激光照射工序中器件区域的保护膜被局部破坏的情况下，也能够抑制对器件的损伤。因此，在激光照射工序和等离子照射工序的任意工序中，均能够通过保护膜来适当保护晶片上的器件，能够得到高品质的器件。