[发明专利]晶片的加工方法有效
申请号: | 201711305827.3 | 申请日: | 2017-12-11 |
公开(公告)号: | CN108231676B | 公开(公告)日: | 2022-12-06 |
发明(设计)人: | 田渕智隆;曾砚琳 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/78 | 分类号: | H01L21/78;H01L21/268 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 于靖帅;乔婉 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 晶片 加工 方法 | ||
1.一种晶片的加工方法,沿着间隔道对晶片进行分割,该晶片在层叠于基板的正面上的功能层上在由形成为格子状的多条该间隔道划分的多个区域中分别形成有器件,该晶片的加工方法的特征在于,具有如下的工序:
保护膜形成工序,对该晶片正面提供水溶性树脂而形成将该晶片正面整体包覆的保护膜;
激光照射工序,沿着该间隔道经由该保护膜而照射激光从而将该功能层去除,并使该基板露出;
保护膜检测工序,在实施了该激光照射工序之后,对该晶片上的形成有多个器件的区域是否包覆有该保护膜进行检测;
保护膜再形成工序,当在该保护膜检测工序中检测到的结果是在该形成有多个器件的区域中存在未包覆该保护膜的部分的情况下,再次形成保护膜以便将该形成有多个器件的区域分别覆盖;
等离子照射工序,在该保护膜再形成工序之后对该晶片进行等离子照射;以及
分割工序,在该等离子照射工序之后,沿着该间隔道对晶片进行切削而将该晶片分割成各个芯片。
2.根据权利要求1所述的晶片的加工方法,其中,
在该保护膜再形成工序中,将该保护膜从该保护膜检测工序后的晶片正面上去除,对该晶片正面提供水溶性树脂,然后沿着该间隔道照射比该激光照射工序中所照射的激光的输出小的、仅能够将该间隔道内的保护膜去除的激光,从而使该间隔道部分的基板露出。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社迪思科,未经株式会社迪思科许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201711305827.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:可挠式显示面板的制造方法
- 下一篇:裁切半导体晶片的方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造