[发明专利]晶片的加工方法有效

专利信息
申请号: 201711305827.3 申请日: 2017-12-11
公开(公告)号: CN108231676B 公开(公告)日: 2022-12-06
发明(设计)人: 田渕智隆;曾砚琳 申请(专利权)人: 株式会社迪思科
主分类号: H01L21/78 分类号: H01L21/78;H01L21/268
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 于靖帅;乔婉
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 晶片 加工 方法
【权利要求书】:

1.一种晶片的加工方法,沿着间隔道对晶片进行分割,该晶片在层叠于基板的正面上的功能层上在由形成为格子状的多条该间隔道划分的多个区域中分别形成有器件,该晶片的加工方法的特征在于,具有如下的工序:

保护膜形成工序,对该晶片正面提供水溶性树脂而形成将该晶片正面整体包覆的保护膜;

激光照射工序,沿着该间隔道经由该保护膜而照射激光从而将该功能层去除,并使该基板露出;

保护膜检测工序,在实施了该激光照射工序之后,对该晶片上的形成有多个器件的区域是否包覆有该保护膜进行检测;

保护膜再形成工序,当在该保护膜检测工序中检测到的结果是在该形成有多个器件的区域中存在未包覆该保护膜的部分的情况下,再次形成保护膜以便将该形成有多个器件的区域分别覆盖;

等离子照射工序,在该保护膜再形成工序之后对该晶片进行等离子照射;以及

分割工序,在该等离子照射工序之后,沿着该间隔道对晶片进行切削而将该晶片分割成各个芯片。

2.根据权利要求1所述的晶片的加工方法,其中,

在该保护膜再形成工序中,将该保护膜从该保护膜检测工序后的晶片正面上去除,对该晶片正面提供水溶性树脂,然后沿着该间隔道照射比该激光照射工序中所照射的激光的输出小的、仅能够将该间隔道内的保护膜去除的激光,从而使该间隔道部分的基板露出。

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