[发明专利]制造电子装置的方法及藉此制造的电子装置在审

专利信息
申请号: 201711305468.1 申请日: 2017-12-11
公开(公告)号: CN109390244A 公开(公告)日: 2019-02-26
发明(设计)人: 金环玉;金德宫;黄泰永;郑季洋;广墨·克里斯·林 申请(专利权)人: 艾马克科技公司
主分类号: H01L21/60 分类号: H01L21/60;H01L21/603;H01L23/48
代理公司: 北京寰华知识产权代理有限公司 11408 代理人: 林柳岑;穆文通
地址: 美国亚利桑那州85*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 导电互连 电子装置 基板 晶粒 第一表面 制造 半导体晶粒 油墨 金属 接合 涂覆
【说明书】:

本发明公开一种制造电子装置的方法及藉此制造的电子装置。一种制造电子装置的方法,所述方法包括:提供基板,其包括基板导电互连结构;提供半导体晶粒,其包括从晶粒的第一侧突出的晶粒导电互连结构;用包含金属的油墨涂覆所述晶粒导电互连结构的至少第一表面及/或基板导电互连结构的至少第一表面;以及接合晶粒导电互连结构的第一表面和基板导电互连结构的第一表面。作为非限制性示例,本发明公开的各个态样提供了一种制造电子装置的方法及藉此制造的电子装置,其利用油墨在半导体晶粒和基板的各自导电互连结构之间形成金属间接合。

技术领域

本申请案涉及制造电子装置的方法及藉此制造的电子装置。

相关申请案/作为参考并入于此的申请案的相交参考

专利申请案相关于2015年12月8日提交的名称为“用于金属接合的暂时介面分级接合(Transient Interface Grading Bonding for Metal Bonds)”的美国专利申请案第14/963,037号,其在此通过引用方式整体并入。

背景技术

目前的半导体装置和用于制造电子装置的方法是不充分的,例如导致制造过程太耗时、涉及太多的步骤及/或太昂贵,导致具有不可靠连接、具有次优尺寸的互连结构等的电子装置。通过将这些方法与参考图式的本申请案的其余部分中提出的本发明揭示内容相比较,常规和传统方法的其他限制和缺点对于本领域技术人士而言将变得显而易见。

发明内容

本发明公开的各个态样提供了一种制造电子装置的方法及藉此制造的电子装置。作为非限制性示例,本发明公开的各个态样提供了一种制造电子装置的方法及藉此制造的电子装置,其利用油墨(ink)在半导体晶粒和基板的各自导电互连结构之间形成金属间接合。

本发明的一态样是一种制造电子装置的方法,所述方法包括:提供基板,其包括基板导电互连结构;提供半导体晶粒,其包括从所述晶粒的第一侧突出的晶粒导电互连结构;用包含金属的油墨涂覆所述晶粒导电互连结构的至少第一表面及/或所述基板导电互连结构的至少第一表面;以及接合所述晶粒导电互连结构的所述第一表面和所述基板导电互连结构的所述第一表面。所述方法中,所述基板包括多基板晶圆或多基板面板。所述方法中,提供所述半导体晶粒包括提供包含所述半导体晶粒和一个或多个其他半导体晶粒的半导体晶圆,所述方法在所述提供之后,自所提供的半导体晶圆单一化分割出所述半导体晶粒。所述方法中,所述晶粒导电互连结构包括金属柱。所述方法中,所述晶粒导电互连结构的所述第一表面是非平面的。所述方法中,所述涂覆包括用所述油墨至少涂覆所述晶粒导电互连结构的所述第一表面。所述方法中,所述涂覆包括至少将所述晶粒导电互连结构的第一相应表面及/或所述基板导电互连结构的第一相应表面浸入所述油墨中。所述方法包括:在所述涂覆之前,从半导体晶圆单一化切割所述半导体晶粒,并且其中所述涂覆包括用所述油墨至少涂覆经单一化分割的所述半导体晶粒的所述晶粒导电互连结构的第一相应表面。所述方法中,所述金属包括:分散在溶剂中的金属离子、金属分子及/或金属颗粒。所述方法中,在所述涂覆之前,在油墨载体结构上形成油墨,并且其中所述涂层包括将所述晶粒导电互连结构的至少第一表面及/或所述基板导电互连结构的至少第一表面浸入所述油墨中。

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