[发明专利]制造电子装置的方法及藉此制造的电子装置在审
申请号: | 201711305468.1 | 申请日: | 2017-12-11 |
公开(公告)号: | CN109390244A | 公开(公告)日: | 2019-02-26 |
发明(设计)人: | 金环玉;金德宫;黄泰永;郑季洋;广墨·克里斯·林 | 申请(专利权)人: | 艾马克科技公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L21/603;H01L23/48 |
代理公司: | 北京寰华知识产权代理有限公司 11408 | 代理人: | 林柳岑;穆文通 |
地址: | 美国亚利桑那州85*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 导电互连 电子装置 基板 晶粒 第一表面 制造 半导体晶粒 油墨 金属 接合 涂覆 | ||
1.一种制造电子装置的方法,其特征在于,所述方法包括:
提供基板,其包括基板导电互连结构;
提供半导体晶粒,其包括从所述晶粒的第一侧突出的晶粒导电互连结构;用包含金属的油墨涂覆所述晶粒导电互连结构的至少第一表面及/或所述基板导电互连结构的至少第一表面;以及
接合所述晶粒导电互连结构的所述第一表面和所述基板导电互连结构的所述第一表面。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述基板包括多基板晶圆或多基板面板。
3.如权利要求1所述的方法,其特征在于,提供所述半导体晶粒包括提供包含所述半导体晶粒和一个或多个其他半导体晶粒的半导体晶圆,所述方法在所述提供之后,自所提供的半导体晶圆单一化分割出所述半导体晶粒。
4.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述晶粒导电互连结构包括金属柱。
5.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述晶粒导电互连结构的所述第一表面是非平面的。
6.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述涂覆包括用所述油墨至少涂覆所述晶粒导电互连结构的所述第一表面。
7.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述涂覆包括至少将所述晶粒导电互连结构的第一相应表面及/或所述基板导电互连结构的第一相应表面浸入所述油墨中。
8.如权利要求1所述的方法,其特征在于,在所述涂覆之前,从半导体晶圆单一化切割所述半导体晶粒,并且其中所述涂覆包括用所述油墨至少涂覆经单一化分割的所述半导体晶粒的所述晶粒导电互连结构的第一相应表面。
9.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述金属包括:分散在溶剂中的金属离子、金属分子及/或金属颗粒。
10.如权利要求1所述的方法,其特征在于,在所述涂覆之前,在油墨载体结构上形成油墨,并且其中所述涂层包括将所述晶粒导电互连结构的至少第一表面及/或所述基板导电互连结构的至少第一表面浸入所述油墨中。
11.一种制造电子装置的方法,其特征在于,所述方法包括:
提供基板,其包括基板导电互连结构;
提供半导体晶粒,其包括从所述晶粒的第一侧突出的晶粒导电互连结构;以及
将所述晶粒导电互连结构的所述第一表面和所述基板导电互连结构的所述第一表面按压在一起,而具有至少一层油墨在所述晶粒导电互连结构的第一表面与所述基板导电互连结构的第一表面之间的界面处。
12.如权利要求11所述的方法,其特征在于,所述按压包括利用热压缩接合制程来执行所述按压。
13.如权利要求12所述的方法,其特征在于,利用所述热压缩接合制程的所述接合包括在没有使用超声波振动的情况下进行热压缩接合。
14.如权利要求12所述的方法,其特征在于,所述热压缩接合制程包括在25℃和400℃之间的温度下进行热压缩接合。
15.如权利要求12所述的方法,其特征在于,所述热压缩接合制程包括在0.1帕和20千帕之间的压力下进行热压缩接合。
16.如权利要求11所述的方法,其特征在于,所述按压包括将所述晶粒导电互连结构的所述第一表面和所述基板导电互连结构的所述第一表面按压在一起,仅具有所述油墨在所述晶粒导电互连结构的所述第一表面与所述基板导电互连结构的所述第一表面之间。
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