[发明专利]一种基于碳硅融合技术的加解密芯片

权利要求书

1.一种基于碳硅融合技术的加解密芯片，其特征在于：包括硅基晶体管加解密算法电路以及碳纳米晶体管密钥注入存储电路，其中，所述的硅基晶体管加解密算法电路是以硅为衬底的硅基集成电路；所述的碳纳米晶体管密钥注入存储电路设置在碳纳米晶体管集成电路中，注入存储不同的密钥；所述的碳纳米晶体管集成电路叠加在硅基集成电路上，进行二次集成；碳纳米晶体管集成电路分为功能区和非功能区，所述功能是指密钥注入存储功能，所述碳纳米晶体管密钥注入存储电路位于功能区；非功能区由多层无关功能的碳纳米晶体管组成，覆盖在功能区之上。

2.根据权利要求1所述的基于碳硅融合技术的加解密芯片，其特征在于：在硅基集成电路的裸芯片钝化层之上进行平坦化，生成水毁性薄膜，在水毁性薄膜之上生成碳纳米晶体管集成电路，在碳纳米晶体管集成电路上形成碳纳米晶体管密钥注入存储电路。

3.根据权利要求1所述的基于碳硅融合技术的加解密芯片，其特征在于：碳纳米晶体管集成电路中的碳纳米晶体管通过引线键合或硅通孔实现碳纳米晶体管集成电路与硅基电路集成电路的互连。

4.根据权利要求1所述的基于碳硅融合技术的加解密芯片，其特征在于：碳纳米晶体管集成电路叠加在硅基集成电路上，进行二次集成，之后进行集成电路封装，使得碳纳米晶体管密钥注入存储电路封装在所述加解密芯片内部。