[发明专利]特征尺寸微缩方法及应用于半导体存储器的结构

权利要求书

1.一种特征尺寸微缩方法，其特征在于，包括：

提供一衬底；

在所述衬底上形成掩膜层；

在所述掩膜层上形成表面光刻层，所述表面光刻层包括具有第一特征尺寸的光刻图案；所述掩膜层用于增加所述表面光刻层的厚度，所述光刻图案为均匀分布有多个接触孔的图案或所述光刻图案为排列分布有多个沟槽的图案；

在所述光刻图案的侧壁表面覆盖尺寸微缩覆盖物，所述表面光刻层和所述尺寸微缩覆盖物组合成具有第二特征尺寸的微缩图案；

利用CF₄、CH₂F₂和CHF₃所构成群组的其中之一气体对所述表面光刻层上和所述第二特征尺寸中的所述尺寸微缩覆盖物干蚀刻1～4分钟，以保留形成于所述微缩图案侧壁的掩膜护壁，使得所述掩膜护壁的厚度在1nm至5nm之间；

按照所述第二特征尺寸依次刻蚀所述掩膜层和所述衬底；其中，所述微缩图案用于遮护所述衬底的上表面中不用于刻蚀图案的表面，所述第二特征尺寸小于所述第一特征尺寸且对准在所述第一特征尺寸中。

2.如权利要求1所述的特征尺寸微缩方法，其特征在于，所述表面光刻层的形成步骤包括：

于所述表面光刻层中形成所述多个接触孔，所述第一特征尺寸为所述接触孔的内径；

或者，于所述表面光刻层中形成所述多个沟槽，所述第一特征尺寸为所述沟槽两长边的宽度间距。

3.如权利要求1所述的特征尺寸微缩方法，其特征在于，利用原子沉积法(ALD，Atomiclayer deposition)在所述光刻图案的表面沉积所述尺寸微缩覆盖物。

4.如权利要求1至3任一项所述的特征尺寸微缩方法，其特征在于，所述尺寸微缩覆盖物的材料包括氧化物、氮化物和多晶物所构成群组的其中之一。

5.一种应用于半导体存储器的特征尺寸微缩结构，其特征在于，包括：

衬底；

表面光刻层，形成于所述衬底上，所述表面光刻层包括具有第一特征尺寸的光刻图案；所述光刻图案为均匀分布有多个接触孔的图案或所述光刻图案为排列分布有多个沟槽的图案；

尺寸微缩覆盖物，覆盖在所述光刻图案的侧壁表面，所述表面光刻层和所述微缩覆盖物组合成具有第二特征尺寸的微缩图案，所述第二特征尺寸小于所述第一特征尺寸且对准在所述第一特征尺寸中；其中，

所述表面光刻层与所述衬底之间形成有用于增加所述表面光刻层的厚度的掩膜层；所述尺寸微缩覆盖物的厚度在1nm至5nm之间，所述尺寸微缩覆盖物的厚度为利用CF₄、CH₂F₂和CHF₃所构成群组的其中之一气体对所述第二特征尺寸中的初始尺寸微缩覆盖物干蚀刻1～4分钟得到。

6.如权利要求5所述的特征尺寸微缩结构，其特征在于，所述第一特征尺寸为所述接触孔的内径；或者，所述第一特征尺寸为所述沟槽两长边的宽度间距。

7.如权利要求5所述的特征尺寸微缩结构，其特征在于，所述第二特征尺寸小于所述第一特征尺寸的差值由所述尺寸微缩覆盖物在所述光刻图案的侧壁表面的覆盖厚度两倍所控制。

8.如权利要求5所述的特征尺寸微缩结构，其特征在于，所述尺寸微缩覆盖物的材料包括氧化物、氮化物和多晶物所构成群组的其中之一，以使所述尺寸微缩覆盖物具有不相同于所述掩膜层的刻蚀选择比。