[发明专利]嵌入式闪存的制作方法

权利要求书

1.一种嵌入式闪存的制作方法，其特征在于，包括：

提供一基底，所述基底上包括逻辑区和存储区，所述存储区形成有栅极结构，所述栅极结构包括位于其顶部的硬掩模层和位于其侧壁的侧墙；

形成导电层，所述导电层覆盖所述存储区和所述逻辑区；

形成光刻胶层，所述光刻胶层直接覆盖所述导电层，并且所述光刻胶层的表面平行于所述基底表面；

去除覆盖所述存储区和所述逻辑区的部分厚度的所述光刻胶层，暴露出部分所述导电层，所述部分导电层覆盖所述硬掩模层和部分所述侧墙；

以剩余厚度的所述光刻胶层作为光刻胶保护层，刻蚀所述导电层，暴露出所述硬掩模层和部分所述侧墙；以及

去除所述光刻胶保护层。

2.如权利要求1所述的嵌入式闪存的制作方法，其特征在于，所述栅极结构还包括沿所述基底表面依次形成的浮栅、极间介质层以及控制栅。

3.如权利要求1所述的嵌入式闪存的制作方法，其特征在于，在所述基底和所述栅极结构之间还形成有栅极氧化层，所述栅极结构位于所述栅极氧化层上方的高度是200～250nm。

4.如权利要求1所述的嵌入式闪存的制作方法，其特征在于，所述导电层包括多晶硅，所述导电层的厚度是40～60nm。

5.如权利要求1所述的嵌入式闪存的制作方法，其特征在于，利用旋涂法形成所述光刻胶层，所述光刻胶层包括正性光刻胶。

6.如权利要求1所述的嵌入式闪存的制作方法，其特征在于，去除部分所述光刻胶层利用各向异性干法刻蚀工艺。

7.如权利要求1所述的嵌入式闪存的制作方法，其特征在于，去除部分所述光刻胶层利用氧气灰化工艺。

8.如权利要求1所述的嵌入式闪存的制作方法，其特征在于，刻蚀所述导电层利用各向异性干法刻蚀工艺。

9.如权利要求1至8任一项所述的嵌入式闪存的制作方法，其特征在于，以剩余的所述光刻胶层作为光刻胶保护层，刻蚀所述导电层的步骤包括：使得剩余的所述导电层在所述逻辑区和所述存储区齐平。

10.如权利要求1至8任一项所述的嵌入式闪存的制作方法，其特征在于，所述嵌入式闪存的制作方法还包括：去除所述光刻胶保护层之后，刻蚀所述导电层，形成逻辑区的栅极以及存储区的选择栅和/或擦除栅。