[发明专利]一种提高宇航抗辐射存储器存储密度的方法及存储器

权利要求书

1.一种提高宇航抗辐射存储器存储密度的方法，其特征在于，将存储单元与存储器CMOS的漏极连接，存储单元为三层结构，分别为铂电极层、氧化镍存储层及铂电极层；所述氧化镍存储层中的氧化镍呈多晶态；

加载电场和/或磁场以改变存储单元的存储态，电场方向垂直于铂电极层，磁场方向平行于铂电极层；所加载高阻态电场范围为2.0～8.5×10⁶V/m，低阻态电场范围为0～2.0×10⁶V/m，从-4500Oe向4500Oe方向扫场时，高阻态磁场范围为1200Oe～2400Oe，从4500Oe向-4500Oe方向扫场时，高阻态磁场范围为-1200Oe～-2400Oe；

氧化镍存储层制备时工艺参数满足：激光脉冲沉积腔体内氧压范围为1.0～1.5Torr；激光脉冲沉积腔体内温度范围为450～500℃；氧化镍存储层厚度为250～300nm。

2.如权利要求1所述的提高宇航抗辐射存储器存储密度的方法，其特征在于，根据电场与存储态的对应关系，实现一个存储点上八个存储态的变化；根据磁场与存储态的对应关系，实现一个存储点上两个存储态的变化；根据电场和磁场与存储态的对应关系，实现一个存储点上十六个存储态的变化。

3.如权利要求1所述的提高宇航抗辐射存储器存储密度的方法，其特征在于，加载电场时进行限流保护。

4.一种提高存储密度的宇航抗辐射存储器，其特征在于，所述存储器包括存储单元、CMOS、加载单元和外围控制电路，所述存储单元与CMOS的漏极连接，CMOS与外围控制电路连接，加载单元为存储单元提供电场和/或磁场，电场方向垂直于铂电极层，磁场方向平行于铂电极层；所加载高阻态电场范围为2.0～8.5×10⁶V/m，低阻态电场范围为0～2.0×10⁶V/m，从-4500Oe向4500Oe方向扫场时，高阻态磁场范围为1200Oe～2400Oe，从4500Oe向-4500Oe方向扫场时，高阻态磁场范围为-1200Oe～-2400Oe；

所述存储单元为三层结构，分别为铂电极层、氧化镍存储层及铂电极层；

所述氧化镍存储层中的氧化镍呈多晶态；

所述氧化镍存储层制备时工艺参数满足：激光脉冲沉积腔体内氧压范围为1.0～1.5Torr；激光脉冲沉积腔体内温度范围为450～500℃；氧化镍存储层厚度为250～300nm。