[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，其包括：

n+型碳化硅衬底；

n-型层；

多个第一沟槽；

p型区域；

p+型区域；

n+型区域；

栅电极；

源电极；

漏电极；以及

多个单位单元，其中，

所述多个单位单元中的一个单位单元包括：

接触部分，在所述接触部分，源电极和p+型区域彼此接触；

外部部分，其在平面图中设置在接触部分的上部和下部，以及

连接部分，其将接触部分连接至外部部分，

在平面图中在接触部分中水平相邻的第一沟槽之间的宽度等于在平面图中在外部部分中水平相邻的第一沟槽之间的宽度，

在平面图中在连接部分中水平相邻的第一沟槽之间的宽度小于在平面图中在接触部分中水平相邻的第一沟槽之间的宽度。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

所述多个第一沟槽在平面图中具有格子形状。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其进一步包括

多个第二沟槽，其与所述多个第一沟槽隔开。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，

所述多个第二沟槽在平面图中具有矩阵形状。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，

多个单位单元中的每个单位单元包括所述多个第二沟槽中的一个第二沟槽，并且

该一个第二沟槽设置在每个单位单元的中央部分处。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，

该一个第二沟槽设置在接触部分处，

p+型区域设置在该一个第二沟槽的下表面下方。

7.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，

n-型层设置在n+型碳化硅衬底的第一表面上，

p型区域设置在n-型层上，

n+型区域设置在p型区域上。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，

所述多个第一沟槽中的一个第一沟槽穿过n+型区域和p型区域，并且设置在n-型层上，

所述多个第二沟槽中的一个第二沟槽穿过n+型区域，并且设置在p型区域中。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，其进一步包括：

栅极绝缘层，其设置在所述一个第一沟槽中，

其中，栅电极设置在所述栅极绝缘层上。

10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，

栅极绝缘层和栅电极使所述一个第二沟槽以及设置在所述一个第二沟槽周围的n+型区域中的至少一些露出。

11.根据权利要求10所述的半导体器件，其进一步包括：

绝缘层，其设置在栅电极上，

其中，源电极设置在绝缘层和n+型区域上。

12.根据权利要求10所述的半导体器件，其中，

源电极设置在所述一个第二沟槽中并且接触设置在所述一个第二沟槽周围的n+型区域。

13.根据权利要求12所述的半导体器件，其中，

漏电极设置在n+型碳化硅衬底的第二表面上。