[发明专利]射频基板垂直互联结构

权利要求书

1.一种射频基板垂直互联结构，包括：上表面都设有作为同层间信号传输的U型共面波导（CPW）结构的第一介质基板层（1）、和第二介质基板层（15），信号传输金属焊球（10）和接地金属焊球（11），其特征在于，所述第一介质基板层（1）上的CPW结构是由制有U型开槽的第一金属面层（2）和从板体一侧中部沿U型开槽轨迹内侧边，绕中部金属化垂直过孔（4）圆弧走线与所述U型开槽轨迹路径平行的第一U形输入微带线（3）构成的；第一金属面层（2）在内壁开口形成U型金属隔离环（6）并和第一U形输入微带线（3）位于第一介质基板层（1）的上表面，共同构成平面波导结构；所述第二介质基板层（15）上的CPW结构是由制有U型开槽的第二金属面层（14）和从板体一侧中部沿U型开槽轨迹内侧边，绕中部第二金属焊盘（16）圆弧走线与所述U型开槽轨迹路径平行的第二U形输出微带线（13）构成的；在CPW结构中，所述第一U形输入微带线（3）开口端为射频输入端口，U型开槽上设有U型金属隔离环（6），第一U形输入微带线（3）的U型曲线端设有第一隔离环（5），第一隔离环（5）设在金属化垂直过孔（4）的外部，第一隔离环（5）和U型金属隔离环（6）之间有一道没有金属层的隔离带；两层介质基板的第一U形输入微带线（3）和第二U形输出微带线（13）导带居中，所述第二U形输出微带线（13）开口端为射频输出端口，输入输出端口之间夹角为180°，信号传输金属焊球（10）对应中部的第二金属焊盘（16）、接地金属焊球（11）对应第二接地通孔（12）提供两层介质基板的连接与接地，接地通孔分别贯穿整个第一介质基板层（1）与第二介质基板层（15）以及和第一金属面层（2）和第二金属面层（14），通过接地金属焊球（11）共同构成公共地；信号传输金属焊球（10）焊接于第二介质基板层（15）中的第二金属焊盘（16）上，并且与第一介质基板层（1）中填充实心铜浆的金属化垂直过孔（4）底部相连，为上下两层CPW中间信号传输线提供连接，形成信号垂直传输通道；接地金属焊球（11）焊接于第二介质基板层（15）上的第二接地通孔（12）和第一介质基板层（1）上侧边的第一金属焊盘（8）之间，使得第一介质基板层（1）上的第一接地通孔（7）、第一金属面层（2）、第一介质基板底面金属层（9）和第二介质基板层（15）上第二接地通孔（12）、第二金属面层（14）和背面设置第二介质基板的底面金属层（17）形成接地通道。

2.如权利要求1所述的射频基板垂直互联结构，其特征在于：U型口射频的输入、输出端口特性阻抗为50Ω。

3.如权利要求1所述的射频基板垂直互联结构，其特征在于：地层金属隔离环中的第一隔离环（5）、U型金属隔离环（6）的半径至少0.325mm,信号线与地间距离至少0.06mm。

4.如权利要求1所述的射频基板垂直互联结构，其特征在于：金属化垂直过孔（4）、U型开槽两边线阵排列的第一接地通孔（7）、第二接地通孔（12）内壁电镀金属形成有金属壁的通孔或者内壁填充铜浆或其它金属浆料形成实心金属柱，且孔端焊盘焊接球栅阵列BGA的金属焊球。

5.如权利要求1所述的射频基板垂直互联结构，其特征在于：第一U形输入微带线（3）周围的地过孔自上而下贯穿整个两层介质基板;使得第一介质基板层（1）上的第一接地通孔（7）、第一金属面层（2）、第一介质基板底面金属层（9）和第二介质基板层（15）上第二接地通孔（12）、第二金属面层（14）和背面设置底面金属层（17）形成接地通道，且第一U形输入微带线（3）的宽度要大于金属化垂直过孔（4）的直径。

6.如权利要求1所述的射频基板垂直互联结构，其特征在于：所述第一隔离环（5）的半径大于金属化垂直过孔（4）的半径。

7.如权利要求1所述的射频基板垂直互联结构，其特征在于：第一U形输入微带线（3）开口端为输入端口或输出端口，第二U形输出微带线（13）开口端为输出端口或输入端口。