[发明专利]保护膜、复合材料及其制备方法和应用在审

专利信息
申请号: 201711283753.8 申请日: 2017-12-07
公开(公告)号: CN108043680A 公开(公告)日: 2018-05-18
发明(设计)人: 易伟华;张迅;周慧蓉;郑芳平 申请(专利权)人: 江西沃格光电股份有限公司
主分类号: B05D1/36 分类号: B05D1/36;B05D1/00
代理公司: 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 代理人: 生启
地址: 338004 江西省新余*** 国省代码: 江西;36
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摘要:
搜索关键词: 保护膜 复合材料 及其 制备 方法 应用
【权利要求书】:

1.一种保护膜,其特征在于,包括依次层叠的第一五氧化二铌层、第一二氧化硅层、第二五氧化二铌层、第二二氧化硅层及功能层,所述功能层含有聚四氟乙烯和CrN;

所述第一五氧化二铌层厚度为18nm~28nm,所述第一二氧化硅层厚度为16nm~26nm、所述第二五氧化二铌层厚度为50nm~60nm、所述第二二氧化硅层厚度为89nm~99nm,所述功能层厚度为10nm~20nm。所述功能层的聚四氟乙烯与CrN的摩尔比为1:0.5~1:3。

2.根据权利要求1所述的保护膜,其特征在于,所述第一五氧化二铌层厚度为20nm~26nm,所述第一二氧化硅层厚度为18nm~24nm、所述第二五氧化二铌层厚度为52nm~58nm、所述第二二氧化硅层厚度为91nm~97nm,所述功能层厚度为12nm~18nm,所述功能层的聚四氟乙烯与CrN的摩尔比为1:1~1:2。

3.根据权利要求1所述的保护膜,其特征在于,所述第一五氧化二铌层厚度为22nm~24nm,所述第一二氧化硅层厚度为20nm~22nm、所述第二五氧化二铌层厚度为54nm~56nm、所述第二二氧化硅层厚度为93nm~95nm,所述功能层厚度为14nm~16nm,所述功能层的聚四氟乙烯与CrN的摩尔比为1:1.5。

4.一种复合材料,其特征在于,包括基底及层叠于所述基底表面的权利要求1~3任一项所述的保护膜。

5.根据权利要求4所述的复合材料,其特征在于,所述基底具有第一表面及与所述第一表面相对的第二表面,所述第一表面及所述第二表面均层叠有所述保护膜。

6.根据权利要求4所述的复合材料,其特征在于,所述基底的厚度为0.2mm~10mm。

7.权利要求4所述的复合材料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

在所述基底表面依次制备所述第一五氧化二铌层、所述第一二氧化硅层、所述第二五氧化二铌层、所述第二二氧化硅层及所述功能层。

8.根据权利要求7所述的复合材料的制备方法,其特征在于,所述第一五氧化二铌层、所述第一二氧化硅层、所述第二五氧化二铌层、所述第二二氧化硅层及所述功能层采用磁控溅镀膜设备制备,所述磁控溅射镀膜设备包括第一镀膜室及第二镀膜室,所述第一镀膜室与所述第二镀膜室连接且所述第一镀膜室与所述第二镀膜室之间设置有隔离门阀,所述第一五氧化二铌层、所述第一二氧化硅层、所述第二五氧化二铌层及所述第二二氧化硅层在所述第一镀膜室制备,所述功能层在所述第二镀膜室制备。

9.根据权利要求8所述的复合材料的制备方法,其特征在于,所述第二镀膜室设有间歇性气体控制阀,当所述隔离门阀关闭后,通过所述间歇性气体控制阀通入氮气,在所述第二镀膜室制备功能层。

10.权利要求1~3任一项所述的保护膜在电子装置及汽车中的应用。

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