[发明专利]功率因素校正电路及反激电路在审

专利信息
申请号: 201711283656.9 申请日: 2017-12-07
公开(公告)号: CN107979280A 公开(公告)日: 2018-05-01
发明(设计)人: 李文东 申请(专利权)人: 深圳市华星光电技术有限公司
主分类号: H02M1/42 分类号: H02M1/42;H02M1/32;H02M1/14;H02M3/335
代理公司: 深圳市铭粤知识产权代理有限公司44304 代理人: 孙伟峰,武岑飞
地址: 518132 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 功率 因素 校正 电路
【权利要求书】:

1.一种功率因素校正电路,其特征在于,包括:

电压转换模块,用于将输入的交流电压转换为直流电压,并输出所述直流电压;

升压模块,用于对所述直流电压进行升压,并输出升压直流电压;

侦测比较模块,用于侦测所述直流电压,并将侦测到的直流电压与预定电压进行比较,并根据比较结果产生不同的侦测信号;

电压反馈模块,用于根据所述不同的侦测信号产生不同的反馈信号;

控制模块,用于根据所述不同的反馈信号控制所述升压模块输出不同的升压直流电压。

2.根据权利要求1所述的功率因素校正电路,其特征在于,当所述直流电压小于所述预定电压时,所述侦测比较模块产生第一侦测信号,所述电压反馈模块根据所述第一侦测信号产生第一反馈信号,所述控制模块根据所述第一反馈信号控制所述升压模块输出第一升压直流电压;

当所述直流电压大于或等于所述预定电压时,所述侦测比较模块产生第二侦测信号,所述电压反馈模块根据所述第二侦测信号产生第二反馈信号,所述控制模块根据所述第二反馈信号控制所述升压模块输出第二升压直流电压;

所述第二升压直流电压大于所述第一升压直流电压。

3.根据权利要求1或2所述的功率因素校正电路,其特征在于,所述侦测比较模块包括:第一电阻器、第二电阻器、第一电容器、第一二极管;

所述第一电阻器的一端连接到所述电压转换模块,所述第一电阻器的另一端连接到所述第二电阻器的一端,所述第二电阻器的另一端连接到所述第一二极管的阳极,所述第一二极管的阴极电性接地,所述第一电容器的一端连接到所述第二电阻器和所述第一电阻器之间,所述第一电容器的另一端电性接地。

4.根据权利要求1或2所述的功率因素校正电路,其特征在于,所述电压反馈模块包括:双极型晶体管、第三电阻器、第四电阻器、第五电阻器;

所述第三电阻器的一端连接到所述升压模块,所述第三电阻器的另一端连接到所述第四电阻器的一端并连接到所述控制模块,所述第四电阻器的另一端电性接地,所述双极型晶体管的基极连接到所述侦测比较模块,所述双极型晶体管的集电极连接到所述第三电阻器和所述第四电阻器之间,所述双极型晶体管的发射极连接到所述第五电阻器的一端,所述第五电阻器的另一端电性接地。

5.根据权利要求1或2所述的功率因素校正电路,其特征在于,所述升压模块包括:电感器、第一MOS晶体管、第二二极管;

所述电感器的一端连接到所述电压转换模块,所述电感器的另一端连接到所述第二二极管的阳极,所述第二二极管的阴极连接到所述电压反馈模块,所述第一MOS晶体管的栅极连接到所述控制模块,所述第一MOS晶体管的漏极连接到所述电感器和所述第二二极管之间,所述第一MOS晶体管的源极电性接地。

6.根据权利要求1或2所述的功率因素校正电路,其特征在于,所述功率因素校正电路还包括:滤波模块,用于对所述直流电压进行滤波处理。

7.根据权利要求6所述的功率因素校正电路,其特征在于,所述滤波模块包括:第二电容器、第一极性电容器;

所述第二电容器的一端连接到所述电压转换模块,所述第二电容器的另一端电性接地,所述第一极性电容器的阳极连接到所述第二电容器的一端,所述第一极性电容器的阴极电性接地。

8.一种反激电路,其特征在于,包括:

权利要求1至7任一项所述的功率因素校正电路;

变压器,包括第一初级线圈和第一次级线圈,所述第一初级线圈用于在其接通时接收所述升压直流电压,所述第一次级线圈在所述第一初级线圈断开时产生负载工作电压;

输出模块,连接到所述第一次级线圈,所述输出模块用于在所述第一初级线圈断开时使所述第一次级线圈输出负载工作电压,且用于在所述第一初级线圈接通时输出负载工作电压;

开关单元,连接到所述控制模块,所述开关单元用于根据所述控制模块的控制接通或断开所述第一初级线圈。

9.根据权利要求8所述的反激电路,其特征在于,所述反激电路还包括:电压尖峰吸收模块,用于在所述第一初级线圈断开时吸收所述第一初级线圈的电压尖峰。

10.根据权利要求9所述的反激电路,其特征在于,

所述输出模块包括:第三二极管、第三电容器、第二极性电容器;所述第三二极管的阳极连接到所述第一次级线圈的一端,所述第三二极管的阴极连接到所述第二极性电容器的阳极,所述第二极性电容器的阴极连接到接地端,所述第三电容器的一端连接到所述第三二极管的阴极,所述第三电容器的另一端连接到接地端,所述第一次级线圈的另一端连接到接地端;

所述开关单元包括:第二MOS晶体管、第六电阻器;所述第二MOS晶体管的栅极连接到所述控制模块,所述第二MOS晶体管的源极连接到所述第六电阻器的一端,所述第六电阻器的另一端电性接地,所述第二MOS晶体管的漏极连接到所述第一初级线圈的一端;

所述电压尖峰吸收模块包括:第四二极管、第四电容器和第七电阻器;所述第四二极管的阳极连接到所述第一初级线圈的一端,所述第四二极管的阴极连接到所述第四电容器的一端,所述第四电容器的另一端连接到所述第一初级线圈的另一端,所述第七电阻器的一端连接到所述第四二极管的阴极,所述第七电阻器的另一端连接到所述第一初级线圈的另一端。

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