[发明专利]边界间隔物结构以及集成

权利要求书

1.一种用于制造半导体结构的方法，包括：

形成多个第一鳍结构；

在多个鳍结构中的第一鳍结构与多个鳍结构中的第二鳍结构之间形成阻挡层；

在所述第一鳍结构上形成外延材料，而通过形成在所述第一鳍结构与所述第二鳍结构之间的所述阻挡层来阻挡所述外延材料延伸到所述第二鳍结构上；

在形成所述阻挡层之前，在所述第一鳍结构和所述第二鳍结构上形成绝缘材料；

在形成所述阻挡层之前，在所述第二鳍结构之上形成掩模材料；

在形成所述阻挡层之前，在所述第一鳍结构和所述掩模材料上沉积用于所述阻挡层的阻挡材料；以及

去除在所述掩模材料和所述第一鳍结构上的所述阻挡材料的水平部分，以形成所述第一鳍结构的所述阻挡层和间隔物。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括在所述第二鳍结构之上形成绝缘层和阻挡材料，其防止所述外延材料形成在所述第二鳍结构上。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述阻挡层防止形成在所述第一鳍结构上的所述外延材料延伸到另一器件的区域。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，形成所述外延材料是形成在所述第一鳍结构的暴露的半导体材料上的生长工艺。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述第一鳍结构的所述暴露的半导体材料还包括去除所述第一鳍结构上的所述绝缘材料的部分，接着所述暴露的半导体材料的凹进。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述阻挡层和所述间隔物在单个蚀刻步骤中形成。

7.根据权利要求1所述的方法，还包括在所述第二鳍结构上形成外延材料，而保护所述第一鳍结构上的所述外延材料。

8.根据权利要求1所述的方法，还包括：

去除所述绝缘材料的部分以暴露所述第一鳍结构的半导体材料；

在所述第一鳍结构的所述暴露的部分上形成所述外延材料，而所述绝缘材料和所述阻挡材料在所述第二鳍结构上；

保护所述外延材料，而暴露所述第二鳍结构的半导体材料；以及

在所述第二鳍结构上形成外延材料，而在所述第一鳍结构和所述第二鳍结构之间形成的所述阻挡层防止所述第二鳍结构上的所述外延材料在所述第一鳍结构上的所述外延材料上扩张。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一鳍结构是第一器件以及所述第二鳍结构是第二器件。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述阻挡层包括金属氧化物或金属氮化物。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述金属氧化物是Al₂O₃。

12.一种用于制造半导体结构的方法，包括：

形成用于第一器件类型的第一鳍结构；

形成用于与所述第一器件类型邻近的第二器件类型的第二鳍结构；

在所述第一鳍结构和所述第二鳍结构上形成绝缘材料；

在所述第一鳍结构之上形成掩模；

在所述第二鳍结构和所述掩模之上形成阻挡材料；

去除在所述掩模和在所述第二鳍结构上的所述绝缘材料上的所述阻挡材料的水平部分以在所述第二鳍结构上的所述绝缘材料的侧壁和所述掩模的侧壁上留下阻挡材料；

去除所述掩模以在所述第一器件类型和所述第二器件类型之间的边界处形成垂直阻挡层；以及

在所述第二鳍结构上生长外延层，而所述垂直阻挡层防止所述外延层延伸超出所述边界。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，所述第一器件类型和所述第二器件类型是不同类型的器件。

14.根据权利要求12所述的方法，其中，去除所述阻挡材料形成在所述第二鳍结构上的间隔物。