[发明专利]薄膜晶体管与薄膜晶体管的制作方法及膜层刻蚀工艺有效
| 申请号： | 201711278338.3 | 申请日： | 2017-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN108010839B | 公开（公告）日： | 2021-08-06 |
| 发明（设计）人： | 刘刚;张毅先;任思雨;苏君海;李建华 | 申请（专利权）人： | 信利（惠州）智能显示有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3213 | 分类号： | H01L21/3213;H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 叶剑 |
| 地址： | 516029 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 制作方法 刻蚀 工艺 | ||
1.一种膜层刻蚀工艺，用于对薄膜晶体管的膜层进行刻蚀，所述膜层的第一表面上形成有光刻胶，所述光刻胶包括预设图案的预留光刻胶和残留光刻胶，其特征在于，所述膜层刻蚀工艺包括如下步骤：
采用含O2气体对所述膜层进行预处理，以去除所述残留光刻胶，其中，所述预处理持续预设时长；
采用第一刻蚀气体对所述膜层进行刻蚀处理；
采用含O2气体对所述膜层进行预处理，以去除所述残留光刻胶，其中，所述预处理持续预设时长的过程包括：
采用含O2气体和第二刻蚀气体对所述膜层进行持续预设时长的预处理，所述含O2气体用于去除所述残留光刻胶，所述第二刻蚀气体用于对膜层的第一表面进行预设厚度的刻蚀，以形成膜层掩膜；
所述预设时长为10~20s。
2.根据权利要求1所述的膜层刻蚀工艺，其特征在于，采用等离子体刻蚀法对所述膜层进行预处理。
3.根据权利要求1所述的膜层刻蚀工艺，其特征在于，刻蚀机的等离子体射频源的功率大于等于7000W。
4.根据权利要求1所述的膜层刻蚀工艺，其特征在于，所述预设时长为15s。
5.根据权利要求1所述的膜层刻蚀工艺，其特征在于，所述O2气体的含量与所述第二蚀刻气体的含量的比值为1：（8-10）。
6.根据权利要求5所述的膜层刻蚀工艺，其特征在于，刻蚀机的等离子体射频源的功率与偏置射频源的功率之比小于等于7:3。
7.根据权利要求1所述的膜层刻蚀工艺，其特征在于，所述预设厚度为15~20nm。
8.根据权利要求1所述的膜层刻蚀工艺，其特征在于，所述第二刻蚀气体包括CxFy、SF6和CL2中的至少一种。
9.一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括根据权利要求1至8中任一项所述的膜层刻蚀工艺。
10.一种薄膜晶体管，其特征在于，采用根据权利要求9中所述的薄膜晶体管的制作方法制得。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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