[发明专利]薄膜晶体管与薄膜晶体管的制作方法及膜层刻蚀工艺

说明书

一种薄膜晶体管与薄膜晶体管的制作方法及膜层刻蚀工艺，其中，膜层刻蚀工艺用于对薄膜晶体管的膜层进行刻蚀，膜层的第一表面上形成有光刻胶，光刻胶包括预设图案的预留光刻胶和残留光刻胶，膜层刻蚀工艺包括如下步骤：采用含O2气体对膜层进行预处理，以去除残留光刻胶，其中，预处理持续预设时长；采用第一刻蚀气体对膜层进行刻蚀处理。上述膜层刻蚀工艺，先采用含O2气体对膜层进行预处理，其中的O2气体经射频放电形成一定浓度的氧离子活性分子，氧离子活性分子与光刻胶发生反应，以去除残留光刻胶，使光刻胶的形貌恢复正常，避免需要刻蚀的那部分膜层被光刻胶遮挡，导致膜层的形貌也出现异常，从而影响薄膜晶体管的品质的情况出现。

技术领域

本发明涉及半导体器件技术领域，特别是涉及一种薄膜晶体管与薄膜晶体管的制作方法及膜层刻蚀工艺。

背景技术

在薄膜晶体管的制作过程中，采用光刻工艺对膜层进行处理，以将膜层形成预设图案。在具体地光刻工艺中，通过在曝光和显影过程之后将光刻胶进行处理形成预设图案，再利用光刻胶的掩膜作用通过刻蚀过程将膜层进行刻蚀形成该预设图案，以实现光刻胶的预设图案到膜层的预设图案的图形转移。

在薄膜晶体管的制作过程中，膜层在任意位置的刻蚀后侧壁的角度和关键尺寸间距的均一性直接影响薄膜晶体管的品质的好坏，而刻蚀前光刻胶的形貌则直接影响膜层任意位置刻蚀后侧壁的角度和关键尺寸间距的均一性。因此，刻蚀前光刻胶的形貌非常重要。

然而，由于光刻的工艺过程中，很难保证基板各位置光刻胶形貌的一致性，因此光刻胶的形貌容易出现异常。光刻胶的形貌出现异常，导致某部分的光刻胶具有残留，使得光刻胶的覆盖范围增加，将造成需要刻蚀的膜层也被光刻胶遮挡，而使以光刻胶的形貌作为掩膜刻蚀的膜层的形貌也出现异常，从而影响薄膜晶体管的品质的好坏。

发明内容

基于此，有必要针对光刻胶的形貌出现异常，导致某部分的光刻胶具有残留，使得光刻胶的覆盖范围增加，将造成需要刻蚀的那部分膜层也被光刻胶遮挡，而使以光刻胶的形貌作为掩膜刻蚀的膜层的形貌也出现异常，从而影响薄膜晶体管的品质的好坏的技术问题，提供一种薄膜晶体管与薄膜晶体管的制作方法及膜层刻蚀工艺。

一种膜层刻蚀工艺，用于对薄膜晶体管的膜层进行刻蚀，所述膜层的第一表面上形成有光刻胶，所述光刻胶包括预设图案的预留光刻胶和残留光刻胶，所述膜层刻蚀工艺包括如下步骤：采用含O₂气体对所述膜层进行预处理，以去除所述残留光刻胶，其中，所述预处理持续预设时长；采用第一刻蚀气体对所述膜层进行刻蚀处理；

采用含O₂气体对所述膜层进行预处理，以去除所述残留光刻胶，其中，所述预处理持续预设时长的过程包括：

采用含O₂气体和第二刻蚀气体对所述膜层进行持续预设时长的预处理，所述含O₂气体用于去除所述残留光刻胶，所述第二刻蚀气体用于对膜层的第一表面进行预设厚度的刻蚀，以形成膜层掩膜；

所述预设时长为10～20s。

在其中一个实施例中，采用等离子体刻蚀法对所述膜层进行预处理。

在其中一个实施例中，所述刻蚀机的等离子体射频源的功率大于等于7000W。

在其中一个实施例中，所述预设时长为15s。

在其中一个实施例中，所述O₂气体的含量与所述第二蚀刻气体的含量的比值为1：(8-10)。

在其中一个实施例中，所述刻蚀机的等离子体射频源的功率与偏置射频源的功率之比小于等于7:3。

在其中一个实施例中，所述预设厚度为15～20nm。