[发明专利]集成电路和形成集成电路的方法

权利要求书

1.一种集成电路，包括：

导线；

覆盖所述导线的通孔介电层；

通孔，所述通孔穿过所述通孔介电层延伸到所述导线，其中，所述通孔具有第一侧壁、第二侧壁和顶面，其中，所述通孔的所述第一侧壁和所述第二侧壁分别位于所述通孔的相对侧上，其中，所述通孔的所述第一侧壁和所述第二侧壁直接接触所述通孔介电层的侧壁，其中，所述通孔的顶面是同质的，并且其中，所述通孔的所述顶面从所述通孔的所述第一侧壁横向延伸到所述通孔的所述第二侧壁；以及

直接地位于所述通孔的所述顶面上的存储单元。

2.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述存储单元包括：

底电极，所述底电极覆盖并直接接触所述通孔介电层和所述通孔；

覆盖所述底电极的数据存储元件；以及

覆盖所述数据存储元件的顶电极。

3.根据权利要求2所述的集成电路，其中，所述数据存储元件包括导电细丝。

4.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述通孔介电层包括下部介电层和覆盖并直接接触所述下部介电层的上部介电层，其中，所述通孔的宽度从所述通孔的所述顶面到所述下部介电层与所述上部介电层之间的界面连续减小，并且其中，所述通孔的宽度从所述界面到所述通孔的最底面是一致的。

5.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述通孔包括氮化钛、钨或钛。

6.根据权利要求1所述的集成电路，还包括：

第二通孔，所述第二通孔覆盖且直接接触所述存储单元，其中，所述第二通孔包括通孔主体和通孔衬垫，其中，所述通孔衬垫托住所述通孔主体的下侧以加衬所述通孔主体的底面和所述通孔主体的侧壁，并且其中，所述通孔衬垫和所述通孔主体是导电的并且具有不平坦的顶面；以及

覆盖且直接接触所述第二通孔的第二导线。

7.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述通孔是完全同质的。

8.一种形成集成电路的方法，所述方法包括：

形成覆盖导线的通孔介电层；

对所述通孔介电层执行蚀刻以形成在所述导线上方并暴露所述导线的开口；

形成覆盖所述通孔介电层并完全填充所述开口的导电层，其中，所述导电层是同质的并且直接接触所述开口中的所述通孔介电层的侧壁；

对所述导电层的顶部执行平坦化直至到达所述通孔介电层，以从所述导电层在所述开口中形成通孔；以及

直接在所述通孔上形成存储单元。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，形成所述存储单元包括：

在所述通孔介电层和所述通孔上直接形成底电极层；

形成覆盖所述底电极层的数据存储层；

形成覆盖所述数据存储层的顶电极层；以及

将所述顶电极层、所述底电极层和所述数据存储层图案化为所述存储单元，其中，所述存储单元包括底电极、覆盖所述底电极的数据存储元件和覆盖所述数据存储元件的顶电极。

10.一种集成电路，包括：

下导线；

覆盖所述下导线的通孔介电层；

第一通孔，所述第一通孔延伸穿过所述通孔介电层以直接接触所述下导线，其中，所述第一通孔是单一材料且从所述通孔介电层的顶部到所述通孔介电层的底部直接接触所述通孔介电层的侧壁；

直接堆叠在所述第一通孔上的底电极、数据存储元件和顶电极，其中，所述数据存储元件位于所述底电极和所述顶电极之间；

第二通孔，所述第二通孔覆盖并直接接触所述顶电极，其中，所述第二通孔包括通孔主体和通孔衬垫，其中，所述通孔主体和所述通孔衬垫是不同的导电材料，其中，所述通孔衬垫托住所述通孔主体的下侧且具有从所述通孔主体的顶面垂直偏移的顶面；以及

覆盖并直接接触所述第二通孔的上导线。