[发明专利]一种干刻蚀方法及多晶硅薄膜晶体管

说明书

本发明公开了一种干刻蚀方法及多晶硅薄膜晶体管，其中方法包括：对图案层上的块状光阻进行灰化处理，所述灰化处理过程中所述块状光阻边缘灰化速度大于所述块状光阻中部灰化速度，使得所述块状光阻边缘坡度变缓；对所述图案层及其上的所述块状光阻进行蚀刻处理，以获得所述块状光阻图案形状定义的所述图案层。通过上述方式，本发明能够得到边缘坡度变缓的所述块状光阻；由于此时的所述块状光阻边缘坡度较缓，之后再对所述图案层及其上的所述块状光阻进行蚀刻，能够使所述块状光阻图案形状定义的所述图案层的坡度减小，进而提高产品电信号的稳定性。

技术领域

本发明涉及干刻蚀领域，特别是涉及一种干刻蚀方法及多晶硅薄膜晶体管。

背景技术

薄膜晶体管是各类电子设备的主流显示元件，而多晶硅薄膜晶体管由于其载流子迁移率高，并可将周边电路集成到极板上，以减少外部IC数量，连接端子也较少，有利于降低成本和提高产品可靠性，因此，成为人们研究的热点。其中，所述多晶硅薄膜晶体管中图案层的制备方法包括干刻蚀法和湿刻蚀法，且干刻蚀法的原理主要是通过高能等离子体轰击待处理的多晶硅薄膜晶体管，使没有光阻覆盖区域的图案层材料分子逸出，达到刻蚀的效果，此方法刻蚀精确，制备的产品线宽精确，有助于高分辨率产品的制备。

但是，在现有技术中，请参考图1-图2，块状光阻100设置在图案层200之上，图案层200之下为衬底300，由于块状光阻100的坡度较陡，也即块状光阻边缘坡度10较大，这使得使进行干刻蚀后的图案层的坡度也较陡，也即图案层角度20较大，这样得到的产品在使用过程中电信号不稳定，使产品的质量较差。

可见，现有技术有待进一步改进。

发明内容

本发明主要解决的技术问题是提供一种干刻蚀方法，能够解决干刻蚀过程中图案层上的块状光阻边缘坡度较大使刻蚀后的图案层的坡度较大，进而导致多晶硅薄膜晶体管的电信号不稳定的问题。

为解决上述技术问题，本发明采用的一个技术方案是：提供一种干刻蚀方法。

其中，包括：

对图案层上的块状光阻进行灰化处理，所述灰化处理过程中所述块状光阻边缘灰化速度大于所述块状光阻中部灰化速度，使得所述块状光阻边缘坡度变缓；

对所述图案层及其上的所述块状光阻进行蚀刻处理，以获得所述块状光阻图案形状定义的所述图案层。

其中，采用含氧基团等离子体对所述块状光阻进行灰化处理。

其中，所述含氧基团等离子体为氧气等离子体或含有氧气和六氟化硫的等离子体。

其中，采用含氯基团等离子体对所述图案层及其上的所述块状光阻进行蚀刻处理。

其中，所述含氯基团等离子体为氯气等离子体或含有氯气和六氟化硫的等离子体。

其中，所述灰化处理的上极板电压为6KV-15KV，下极板电压为0-5KV，处理时间为10s-60s。

其中，所述对所述刻蚀过程中，上极板电压为5KV-15KV，下极板电压为2-10KV，处理时间为30s-80s。

其中，所述图案层为多晶硅层。

其中，所述图案层的角度小于60°。

为解决上述技术问题，本发明采用的一个技术方案是：提供一种多晶硅薄膜晶体管。

其中，所述多晶硅薄膜晶体管采用包括任一所述的方法制备