[发明专利]一种干刻蚀方法及多晶硅薄膜晶体管在审
| 申请号： | 201711273022.5 | 申请日： | 2017-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN108155089A | 公开（公告）日： | 2018-06-12 |
| 发明（设计）人： | 张海杰 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/308 |
| 代理公司： | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人： | 钟子敏 |
| 地址： | 518006 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 图案层 光阻 坡度 光阻边缘 多晶硅薄膜晶体管 光阻图案 灰化处理 形状定义 灰化 刻蚀 蚀刻 蚀刻处理 减小 | ||
1.一种干刻蚀方法，其特征在于，所述方法包括：
对图案层上的块状光阻进行灰化处理，所述灰化处理过程中所述块状光阻边缘灰化速度大于所述块状光阻中部灰化速度，使得所述块状光阻边缘坡度变缓；
对所述图案层及其上的所述块状光阻进行蚀刻处理，以获得所述块状光阻图案形状定义的所述图案层。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，采用含氧基团等离子体对所述块状光阻进行灰化处理。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述含氧基团等离子体为氧气等离子体或含有氧气和六氟化硫的等离子体。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，采用含氯基团等离子体对所述图案层及其上的所述块状光阻进行蚀刻处理。
5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述含氯基团等离子体为氯气等离子体或含有氯气和六氟化硫的等离子体。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述灰化处理的上极板电压为6KV-15KV，下极板电压为0-5KV，处理时间为10s-60s。
7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述刻蚀过程中，上极板电压为5KV-15KV，下极板电压为2-10KV，处理时间为30s-80s。
8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述图案层为多晶硅层。
9.如权利要求1-8任一所述的方法，其特征在于，图案层边缘坡度小于60°。
10.一种多晶硅薄膜晶体管，其特征在于，所述多晶硅薄膜晶体管采用包括权利要求1-9任一所述的方法制备。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
