[发明专利]形成图像传感器的吸收增强结构的方法

说明书

在一些实施例中，本发明实施例涉及形成用于集成芯片图像传感器的吸收增强结构的方法，其减小了由吸收增强结构的形成而产生的晶体缺陷。该方法可以通过在衬底的第一侧上方形成图案化的掩模层来实施。根据图案化的掩模层对衬底的第一侧实施干蚀刻工艺以限定沿着衬底的第一侧以周期性图案布置的多个中间突出件。对多个中间突出件实施湿蚀刻工艺以形成多个突出件。在多个突出件上方和之间形成一个或多个吸收增强层。湿蚀刻工艺去除可以不利地影响吸收增强结构的性能的中间突出件的损坏区域。

技术领域

本发明实施例涉及形成图像传感器的吸收增强结构的方法。

背景技术

具有图像传感器的集成电路(IC)广泛用于现代电子器件中，例如，诸如相机和手机。近年来，互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器已经开始广泛使用，大量代替电荷耦合器件(CCD)图像传感器。与CCD图像传感器相比，CMOS图像传感器由于低功耗、小尺寸、快速数据处理、数据的直接输出以及低制造成本而越来越受欢迎。一些类型的CMOS图像传感器包括前照式(FSI)图像传感器和背照式(BSI)图像传感器。

发明内容

根据本发明的一些实施例，提供了一种形成用于图像传感器集成芯片的吸收增强结构的方法，包括：在衬底的第一侧上方形成图案化的掩模层；根据所述图案化的掩模层对所述衬底的第一侧实施干蚀刻工艺以限定沿着所述衬底的第一侧布置的多个中间突出件；对所述多个中间突出件实施湿蚀刻工艺以形成多个突出件；以及在所述多个突出件上方和之间形成一个或多个吸收增强层。

根据本发明的另一些实施例，还提供了一种形成图像传感器的方法，包括：在衬底内形成图像感测元件；在所述图像感测元件上方的位置处的所述衬底的第一侧上形成图案化的掩模层；根据所述图案化的掩模层对所述衬底的第一侧实施干蚀刻工艺以限定多个中间突出件；对所述多个中间突出件实施湿蚀刻工艺以形成多个突出件；在所述多个突出件上方形成介电材料；以及对所述介电材料实施平坦化工艺。

根据本发明的又一些实施例，还提供了一种图像传感器集成芯片，包括：图像感测元件，布置在衬底内；多个突出件，在所述图像感测元件上方沿着所述衬底的第一侧布置；一个或多个吸收增强层，布置在所述多个突出件上方和之间；其中，所述多个突出件分别包括侧壁，所述侧壁包括具有第一侧壁角的第一段和位于所述第一段上面并且具有大于所述第一侧壁角的第二侧壁角的第二段；以及其中，所述第一侧壁角和所述第二侧壁角是相对于沿着所述多个突出件的底面延伸的平面测量的锐角。

附图说明

当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本发明的各个方面。应该指出，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。

图1示出了包括配置为提高集成芯片内的图像传感器的量子效率的吸收增强结构的图像传感器集成芯片的一些实施例的截面图。

图2A至图2C示出了包括吸收增强结构的图像传感器集成芯片的一些额外的实施例。

图3示出了包括吸收增强结构的背侧CMOS图像传感器(BSI-CIS)的一些实施例的截面图。

图4至图8示出了形成用于图像传感器集成芯片的吸收增强结构的方法的一些实施例的截面图。

图9示出了形成用于图像传感器集成芯片的吸收增强结构的方法的一些实施例的流程图。

图10至图18示出了形成包括吸收增强结构的BSI-CIS的方法的一些实施例的截面图。

图19示出了形成包括吸收增强结构的BSI-CIS的方法的一些实施例的流程图。

图20至图26示出了形成包括吸收增强结构的BSI-CIS的可选方法的一些实施例的截面图。

图27示出了形成包括吸收增强结构的BSI-CIS的可选方法的一些实施例的流程图。

具体实施方式