[发明专利]形成图像传感器的吸收增强结构的方法

权利要求书

1.一种形成用于图像传感器集成芯片的吸收增强结构的方法，包括：

在衬底的第一侧上方形成图案化的掩模层；

根据所述图案化的掩模层对所述衬底的第一侧实施干蚀刻工艺以限定沿着所述衬底的第一侧布置的多个中间突出件；

对所述多个中间突出件实施湿蚀刻工艺以形成多个突出件，其中，所述多个突出件分别包括侧壁，所述侧壁包括具有第一侧壁角的第一段和位于所述第一段上面并且具有大于所述第一侧壁角的第二侧壁角的第二段；以及其中，所述第一侧壁角和所述第二侧壁角是相对于沿着所述多个突出件的底面延伸的平面测量的锐角；以及

在所述多个突出件上方和之间形成一个或多个吸收增强层。

2.根据权利要求1所述的方法，

其中，所述第一段包括具有第一侧壁角的线性表面。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述第一侧壁角在45°和55°之间的范围内。

4.根据权利要求2所述的方法，

其中，所述湿蚀刻工艺的湿蚀刻剂包括氢氧化钾。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述干蚀刻工艺形成损坏区域，所述损坏区域具有沿着所述多个中间突出件的外边缘的晶体缺陷，并且所述湿蚀刻工艺去除所述损坏区域。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，通过将所述多个中间突出件暴露于包括四甲基氢氧化铵(TMAH)的湿蚀刻剂来实施所述湿蚀刻工艺。

7.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在实施所述干蚀刻工艺之后并且在实施所述湿蚀刻工艺之前，去除所述图案化的掩模层。

8.根据权利要求1所述的方法，

其中，所述干蚀刻工艺配置为形成与第二中间突出件分隔开的第一中间突出件，所述第一中间突出件和所述第二中间突出件通过布置在所述第一中间突出件和所述第二中间突出件之间的底面分隔开；以及

其中，所述湿蚀刻工艺减小了在第一突出件和第二突出件之间延伸的底面的宽度，其中，所述第一突出件由所述第一中间突出件形成，所述第二突出件由所述第二中间突出件形成。

9.根据权利要求1所述的方法，

其中，所述干蚀刻工艺配置为形成与第二中间突出件分隔开的第一中间突出件，所述第一中间突出件和所述第二中间突出件通过布置在所述第一中间突出件和所述第二中间突出件之间的水平底面分隔开；以及

其中，所述湿蚀刻工艺将所述水平底面改变成弯曲底面。

10.根据权利要求1所述的方法，

其中，所述干蚀刻工艺配置为形成与第二中间突出件分隔开的第一中间突出件，所述第一中间突出件和所述第二中间突出件通过布置在所述第一中间突出件和所述第二中间突出件之间的水平底面分隔开；以及

其中，所述第一中间突出件具有侧壁，所述第一中间突出件的侧壁相对于沿着所述水平底面延伸的平面具有大于55°的锐角的侧壁角。

11.一种形成图像传感器的方法，包括：

在衬底内形成图像感测元件；

在所述图像感测元件上方的位置处的所述衬底的第一侧上形成图案化的掩模层；

根据所述图案化的掩模层对所述衬底的第一侧实施干蚀刻工艺以限定多个中间突出件；

对所述多个中间突出件实施湿蚀刻工艺以形成多个突出件，其中，所述多个突出件分别包括侧壁，所述侧壁包括具有第一侧壁角的第一段和位于所述第一段上面并且具有大于所述第一侧壁角的第二侧壁角的第二段；以及其中，所述第一侧壁角和所述第二侧壁角是相对于沿着所述多个突出件的底面延伸的平面测量的锐角；

在所述多个突出件上方形成介电材料；以及

对所述介电材料实施平坦化工艺。