[发明专利]微型掩膜版、掩膜版装置及激光头有效
申请号: | 201711268527.2 | 申请日: | 2017-12-05 |
公开(公告)号: | CN108037633B | 公开(公告)日: | 2022-08-09 |
发明(设计)人: | 张亮;陈旭;黄俊杰;包珊珊 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司 |
主分类号: | G03F1/00 | 分类号: | G03F1/00;G03F1/66 |
代理公司: | 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) 11435 | 代理人: | 郭栋梁 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 微型 掩膜版 装置 激光头 | ||
本申请公开了一种微型掩膜版、掩膜版装置及激光头,该微型掩膜版包括遮光区域和开口区域,开口区域被遮光区域包围。根据本发明实施例提供的技术方案,通过开口区域被遮光区域包围微型掩膜版,能够解决传统掩膜版成本高的问题。
技术领域
本公开一般涉及激光封装领域,尤其涉及微型掩膜版、掩膜版装置及激光头。
背景技术
在显示器件的封装领域,现有技术是在4.8mm厚度的玻璃上制作掩膜版,其上设置有与密封胶封装图形对应的透光区,激光透过掩膜版的透光区对密封胶进行激光烧结而实现封装。使用上述掩膜版进行封装时,需要将掩膜版与被封装面板进行对位,增加了产品工艺时间。另外,一种掩膜版仅针对一种规格显示器件的封装。因此,需要根据产品型号进行掩膜版的更换,导致产品切换时间较长,影像产出效率。
发明内容
鉴于现有技术中的上述缺陷或不足,提供一种使用简便且可适用于多种规格显示器件封装的微型掩膜版、掩膜版装置及激光头。
第一方面,提供一种微型掩膜版,掩膜版包括遮光区域和开口区域,开口区域被遮光区域包围。
第二方面,一种掩膜版装置,包括:
掩膜版存储单元,用于存储若干本发明提供的各实施例的微型掩膜版;
掩膜版切换单元,用于将所述掩膜版存储单元的微型掩膜版切换成当前使用掩膜版;
连接单元,用于连接掩膜版存储单元和掩膜版切换单元,使得当前使用掩膜版位于激光头发射激光方向的正下方。
第三方面,提供一种激光头,激光头包括本发明提供的各实施例的掩膜版装置。
根据本发明实施例提供的技术方案,通过开口区域被遮光区域包围微型掩膜版,能够解决传统掩膜版的高成本问题。进一步的,根据本申请的某些实施例,通过包括掩膜版存储单元、掩膜版切换单元和连接单元的掩膜版装置,还能解决传统掩膜版使用繁琐且在多种规格显示器件之间切换效率低下的问题,获得提高封装效率的效果。
附图说明
通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述,本申请的其它特征、目的和优点将会变得更明显:
图1示出了现有掩膜版结构的示例性示意图;
图2示出了根据本申请实施例的微型掩膜版的示例性示意图;
图3示出了根据本申请实施例的另一微型掩膜版的示例性示意图;
图4示出了根据本申请实施例的掩膜版装置的示例性结构框图;
图5示出了图4的掩膜版切换装置的示例性结构框图;
图6示出了根据本申请另一实施例的掩膜版装置的示例性结构框图;
图7示出了图6的操作杆与掩膜版之间的连接结构的示例性示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本申请作进一步的详细说明。可以理解的是,此处所描述的具体实施例仅仅用于解释相关发明,而非对该发明的限定。另外还需要说明的是,为了便于描述,附图中仅示出了与发明相关的部分。
需要说明的是,在不冲突的情况下,本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本申请。
请参考图1,示出了现有掩膜版结构的示例性示意图。如图所示,掩膜版11的大小基本与待封装的面板大小一致。其包括开口区域13和遮光区域,其开口区域12为环形,遮光区域包括位于开口区域12内部的第一遮光区域13和包围开口区域12的第二遮光区域14。封装时,激光头沿着开口区域12的环形移动,并对密封胶进行照射,以在密封胶上形成所需的激光光斑来固化密封胶。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司,未经京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201711268527.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种多功能空气净化器
- 下一篇:一种AB70机场道面沥青及其制备方法
- 同类专利
- 专利分类
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备