[发明专利]半导体结构的制备方法

说明书

本公开提供一种半导体结构的制备方法。该制备方法包括以下步骤：提供一基底；形成多个第一核心特征在该基底上方，且该第一核心特征彼此间隔开；形成一间隙层在该第一核心特征上方，且形成该间隙层覆盖每个该第一核心特征的侧壁与其顶表面；形成多个第二核心特征在该基底上方，且通过该第二核心特征暴露该部分间隙层；在该第二核心特征上，执行一致密化处理，且移除该间隙层以形成多个开口在该第一核心特征和该第二个核心特征之间。

技术领域

本公开涉及一种半导体结构的制备方法，特别涉及一种半导体结构的图案化方法。

背景技术

在半导体工艺中，通常用光刻技术来定义结构。典型地，集成电路布局设计并输出至一个或多个光掩模上。然后将集成电路布局从光掩模转入至掩模层以形成掩模图案，并从掩模图案转入至目标层。然而，随着包括诸如动态随机存取存储器(DRAM)，快闪存储器，静态随机存取存储器(SRAM)和铁电(FE)存储器等半导体结构的进步的微型化和集成要求，半导体结构或特征这样的元件也变得更加精细和更微型化。于是，在半导体结构和特征尺寸不断缩小下，对于在形成该半导体结构和该特征的技术上，提出越来越大的要求。

上文的「现有技术」说明仅是提供背景技术，并未承认上文的「现有技术」说明揭示本公开的标的，不构成本公开的现有技术，且上文的「现有技术」的任何说明均不应作为本案的任一部分。

发明内容

本公开的一实施例提供一种半导体结构的制备方法。该制备方法包括以下步骤：提供一基底；形成多个第一核心特征在该基底上方，且该第一核心特征彼此间隔开；形成一间隙层在该第一核心特征上方，且形成该间隙层覆盖每个该第一核心特征的侧壁与其顶表面；形成多个第二核心特征在该基底上方，且通过该第二核心特征暴露该部分间隙层；在该第二核心特征上，执行一致密化处理，且移除该间隙层以形成多个开口在该第一核心特征和该第二个核心特征之间。

在一些实施例中，形成该多个第一核心特征的步骤还包括以下步骤：接着形成一第一牺牲层和一图案化光致抗蚀剂在该基底上方；通过该图案化光致抗蚀剂蚀刻该第一牺牲层以形成该多个第一核心特征。

在一些实施例中，形成该多个第二核心特征的步骤还包括以下步骤：形成一第二牺牲层在该基底上方；以及移除一部分该第二牺牲层以暴露覆盖在每个该第一核心特征的侧壁与其顶表面的部分该间隙层。

在一些实施例中，该半导体结构的制备方法还包括形成一掩模层在该第一核心特征的顶表面上方。

在一些实施例中，形成该多个第二核心特征的步骤还包括以下步骤：形成一第二牺牲层在该基底上方；以及移除一部分该第二牺牲层和部分该间隙层，以暴露每个该第一核心特征的顶表面上方的该掩模层和暴露覆盖在该第一核心特征的侧壁的该间隙层。

在一些实施例中，形成该多个第二核心特征的步骤还包括以下步骤：形成一第二牺牲层在该基底上方；以及移除一部分该第二牺牲层和部分该间隙层，以暴露每个该第一核心特征的顶表面和暴露覆盖在该第一核心特征的侧壁的该间隙层。

在一些实施例中，该第一核心特征和该第二核心特征包括一相同材料。

在一些实施例中，执行该致密化处理，同时致密化该第一核心特征和该第二核心特征。

在一些实施例中，该致密化处理包括紫外线固化(UV curing)或热处理。

在一些实施例中，该热处理包括一温度在约100℃和约300℃之间。

在一些实施例中，该间隙层夹在该第二核心特征和该基底之间。

在一些实施例中，该第一核心特征和该第二核心特征通过该开口彼此间隔开。

在一些实施例中，该基底还包括一硬掩模，形成在该基底上。

在一些实施例中，该硬掩模包括一多层结构。