[发明专利]半导体结构的制备方法

权利要求书

1.一种半导体图案的制备方法，包括：

提供一基底；

形成多个第一核心特征在该基底上方，且该第一核心特征彼此间隔开；

形成一间隙层在该第一核心特征上方，该间隙层覆盖每个该第一核心特征的侧壁与其顶表面；

形成多个第二核心特征在该基底上方，其中通过该第二核心特征暴露部分该间隙层；

在该第二核心特征上，执行一致密化处理；以及

经该致密化处理后，移除该间隙层以形成多个开口在该第一核心特征和该第二核心特征之间。

2.如权利要求1所述的制备方法，其中形成所述多个第一核心特征还包括：

接着形成一第一牺牲层和一图案化光致抗蚀剂在该基底上方；以及

通过该图案化光致抗蚀剂蚀刻该第一牺牲层以形成所述多个第一核心特征。

3.如权利要求1所述的制备方法，其中形成所述多个第二核心特征还包括：

形成一第二牺牲层在该基底上方；以及

移除一部分该第二牺牲层以暴露覆盖在每个该第一核心特征的侧壁与其顶表面的部分该间隙层。

4.如权利要求1所述的制备方法，还包括形成一掩模层在该第一核心特征的顶表面上方。

5.如权利要求4所述的制备方法，形成所述多个第二核心特征还包括：

形成一第二牺牲层在该基底上方；以及

移除一部分该第二牺牲层和部分该间隙层，以暴露每个该第一核心特征的顶表面上方的该掩模层和暴露覆盖在该第一核心特征的侧壁的该间隙层。

6.如权利要求1所述的制备方法，其中形成所述多个第二核心特征还包括：

形成一第二牺牲层在该基底上方；以及

移除一部分该第二牺牲层和部分该间隙层，以暴露每个该第一核心特征的顶表面和暴露覆盖在该第一核心特征的侧壁的该间隙层。

7.如权利要求6所述的制备方法，其中该第一核心特征和该第二核心特征包括一相同材料。

8.如权利要求7所述的制备方法，其中执行该致密化处理，同时致密化该第一核心特征和该第二核心特征。

9.如权利要求1所述的制备方法，其中该致密化处理包括紫外线固化或热处理。

10.如权利要求9所述的制备方法，其中该热处理包括一温度在100℃和300℃之间。

11.如权利要求1所述的制备方法，其中该间隙层夹在该第二核心特征和该基底之间。

12.如权利要求1所述的制备方法，其中该第一核心特征和该第二核心特征通过该开口彼此间隔开。

13.如权利要求1所述的制备方法，其中该基底还包括一硬掩模，形成在该基底上。

14.如权利要求13所述的制备方法，其中该硬掩模包括一多层结构。

15.如权利要求14所述的制备方法，其中该多层结构包括至少一第一掩模层，和至少一第二掩模层，该第二掩模层堆叠在该第一掩模层上。

16.如权利要求13所述的制备方法，还包括通过该开口蚀刻该硬掩模以形成多个凹槽在硬掩模中。

17.如权利要求16所述的制备方法，还包括通过该凹槽蚀刻该基底以形成多个半导体结构。

18.如权利要求17所述的制备方法，其中该半导体结构通过数个间隙彼此间隔开。

19.如权利要求18所述的制备方法，其中所述数个间隙的一宽度实质上等同于该间隙层的一厚度。