[发明专利]微机电系统封装体及抗静摩擦装置的制造方法

说明书

本发明实施例系关于微机电系统封装体及其形成方法，其特征在于具有凸起边缘的平板围绕平板的外围以作为抗静摩擦装置。提供互补式金属氧化物半导体集成电路，其具有介电结构围绕多个导电内连线层，这些导电内连线层设置于互补式金属氧化物半导体基底上。将微机电系统集成电路接合至介电结构，使得微机电系统集成电路与介电结构的降低中央部形成空腔，并且微机电系统集成电路包含可移动块状物安排于空腔内。互补式金属氧化物半导体集成电路包含抗静摩擦板设置于可移动块状物下方。此抗静摩擦板由导电材料制成，并且具有凸起边缘围绕大致上平坦上表面的外围的至少一部份。

技术领域

本发明实施例系有关于微机电系统装置制造技术，且特别关于具有抗静摩擦装置的微机电系统封装体及其制造方法。

背景技术

使用微机电系统(microelectromechanical systems，MEMS)装置作为小型化的运动、压力或加速感测装置已遍布于许多现今越来越复杂的产品中。举例而言，在个人电子产品中可发现微机电系统(MEMS)装置，个人电子产品包含智能电话、健身电子产品以及个人计算机装置，例如笔记型电脑(notepads)和平板电脑(tablets)。微机电系统(MEMS)装置亦广泛地用于汽车和航空应用，举例而言，这些应用包含汽车中的事故侦测和安全气囊部署系统，以及飞行器中的引导系统。这些装置也正在改良为医疗装置，例如，用来监控病患的生命迹象。对于这些诸多应用，将微机电系统(MEMS)装置耦接至应用的特定集成电路(application specific integrated circuits，ASIC’s)，以测量和解释来自于这些装置的信号。越来越多的应用对于寻求更加微型化感测元件的尺寸具有不断增长的期望，以使得这些感测元件越来越坚固且越来越经济地制造。

发明内容

本发明的一些实施例提供微机电系统封装体。此微机电系统封装体包含互补式金属氧化物半导体集成芯片，此互补式金属氧化物半导体集成芯片包含互补式金属氧化物半导体基底和介电结构设置于互补式金属氧化物半导体基底上方，其中介电结构围绕多个导电内连线层。此微机电系统封装体还包含微机电系统集成芯片设置于介电结构上方且接合至介电结构，其中微机电系统集成芯片与介电结构的降低中央部共同定义出空腔，且其中微机电系统集成芯片包含可移动块状物安排于空腔内。此微机电系统封装体还包含抗静摩擦板设置于可移动块状物与介电结构的降低中央部之间，其中抗静摩擦板由导电材料制成，且抗静摩擦板包含凸起边缘围绕大致上平坦上表面的外围的至少一部份。

本发明的一些实施例提供微机电系统封装体。此微机电系统封装体包含互补式金属氧化物半导体集成芯片，此互补式金属氧化物半导体集成芯片包含互补式金属氧化物半导体基底和介电结构设置于互补式金属氧化物半导体基底上方，其中介电结构围绕多个导电内连线层。此微机电系统封装体还包含微机电系统装置层设置于介电结构的凸起外部上方且接合至这些凸起外部，这些凸起外部围绕介电结构的凹陷表面，其中微机电系统装置层包含固定部和可移动块状物连接至固定部。此微机电系统封装体还包含覆盖基板设置于微机电系统装置层的背侧上方并与此背侧接合，覆盖基板与介电结构在微机电系统装置层的相反侧，以在覆盖基板语介电结构之间围出空腔，其中可移动块状物安排于空腔内。此微机电系统封装体还包含固定电极安排于可移动块状物下方的凹陷表面上，其中固定电极由金属制成，且固定电极包含凸起边缘连续地围绕大致上平坦上表面的外围。

本发明的一些实施例提供抗静摩擦装置的制造方法，此方法包含提供互补式金属氧化物半导体集成芯片，其包含多个介电层形成于互补式金属氧化物半导体基底之上，这些介电层围绕多个金属层。此方法还包含在这些介电层之上形成上部金属层，在上部金属层之上形成掩膜层，选择性地蚀刻上部金属层以移除围绕掩膜层的金属，且在掩膜层的侧壁上再沉积移位的金属至高度超过上部金属层的高度，以形成抗静摩擦板，其具有再沉积金属的凸起边缘围绕平坦上表面。此方法还包含将微机电系统集成芯片接合至接合垫，接合垫与抗静摩擦板电性隔离且位于这些介电层之上，其中微机电系统集成芯片与这些介电层共同定义出一空腔，且其中微机电系统集成芯片包含可移动块状物安排于空腔内且在抗静摩擦板上。

附图说明