[发明专利]减少半导体制造中接触件深度变化的方法

说明书

一种方法包括提供具有隔离结构、邻近隔离结构且高于隔离结构的鳍以及位于鳍和隔离结构上方的栅极结构的器件结构。隔离结构、鳍和栅极结构限定位于鳍上方的第一沟槽和位于隔离结构上方的第二沟槽。该方法进一步包括在栅极结构、鳍和隔离结构上方形成第一接触蚀刻停止层(CESL)；在第一CESL上方沉积第一层间介电(ILD)层并填充第一沟槽和第二沟槽；以及凹进第一ILD层，从而使得去除第一沟槽中的第一ILD层，并且将第二沟槽中的第一ILD层凹进至与鳍的顶面大致齐平的水平处。本发明实施例涉及减少半导体制造中接触件深度变化的方法。

技术领域

本发明实施例涉及减少半导体制造中接触件深度变化的方法。

背景技术

FINFET器件已成为半导体制造的主流，以实现更小的器件部件和更高的电路性能。在集成电路(IC)中制造这些小型FINFET器件面临许多挑战。例如，当在FINFET器件中形成接触部件时，由于晶圆上的形貌，接触件深度变化已成为问题。特别地，半导体鳍通常比用于隔离鳍的隔离结构更高。当在鳍的顶部上以及在隔离结构上形成接触部件(包括金属)时，一些接触部件比其它接触部件更高。随着时间的推移，这些不平坦的接触部件可能倾斜并推动附近的电路元件(例如，栅极结构)弯曲，这可能导致电路缺陷。与接触件形成相关的另一问题是一些接触孔深而窄，并且接触部件可能难以完全填充这些接触孔，从而在接触部件下方留下空隙。这些空隙在制造阶段可能难以检测到，但是随着时间的推移它们可能导致电路短路或开路。因此，期望在接触件形成工艺中有所改进。

发明内容

根据本发明的一些实施例，提供了一种用于制造半导体的方法，所述方法包括：提供器件结构，所述器件结构具有隔离结构、邻近所述隔离结构且高于所述隔离结构的鳍、以及位于所述鳍和所述隔离结构上方的栅极结构，其中，所述隔离结构、所述鳍和所述栅极结构限定位于所述鳍上方的第一沟槽和位于所述隔离结构上方的第二沟槽；在所述栅极结构、所述鳍和所述隔离结构上方形成第一接触蚀刻停止层(CESL)；在所述第一接触蚀刻停止层上方沉积填充所述第一沟槽和所述第二沟槽的第一层间介电(ILD)层；以及凹进所述第一层间介电层，从而去除所述第一沟槽中的所述第一层间介电层，并且将所述第二沟槽中的所述第一层间介电层凹进至与所述鳍的顶面齐平的水平处。

根据本发明的另一些实施例，还提供了一种用于制造半导体的方法，所述方法包括：提供器件结构，所述器件结构具有：衬底，鳍，从所述衬底延伸，隔离结构，位于所述衬底上方，邻近所述鳍，并且低于所述鳍；栅极结构，位于所述鳍和所述隔离结构上方，其中，所述鳍、所述隔离结构和所述栅极结构限定位于所述鳍上方的第一沟槽并且限定位于所述隔离结构上方的第二沟槽；在所述栅极结构、所述鳍和所述隔离结构上方形成第一接触蚀刻停止层(CESL)，其中，所述第一接触蚀刻停止层在所述栅极结构的顶部上比在所述栅极结构的侧壁上更厚；在所述第一接触蚀刻停止层上方沉积填充所述第一沟槽和所述第二沟槽的第一层间介电(ILD)层；以及凹进所述第一层间介电层，从而去除所述第一沟槽中的所述第一层间介电层并且将所述第二沟槽中的所述第一层间介电层凹进至与所述鳍的顶面一样低。

根据本发明的又一些实施例，还提供了一种用于制造半导体的方法，所述方法包括：提供器件结构，所述器件结构具有隔离结构、横向邻近所述隔离结构且高于所述隔离结构的鳍、位于所述鳍和所述隔离结构上方的栅极结构，其中，所述隔离结构、所述鳍和所述栅极结构限定位于所述鳍上方的第一沟槽和位于所述隔离结构上方的第二沟槽；在所述栅极结构、所述鳍和所述隔离结构上方沉积第一接触蚀刻停止层(CESL)；在所述第一接触蚀刻停止层上方沉积第一层间介电(ILD)层，并且所述第一层间介电层填充所述第一沟槽和所述第二沟槽；凹进所述第一层间介电层，从而去除位于所述第一沟槽中的所述第一层间介电层，并且将位于所述第二沟槽中的所述第一层间介电层凹进至与所述鳍的顶面相同的水平处；以及凹进所述第一接触蚀刻停止层，从而将所述第一接触蚀刻停止层从所述第一沟槽去除，并从位于所述第一层间介电层之上的所述第二沟槽去除。

附图说明