[发明专利]减少半导体制造中接触件深度变化的方法

权利要求书

1.一种用于制造半导体的方法，所述方法包括：

提供器件结构，所述器件结构具有隔离结构、邻近所述隔离结构且高于所述隔离结构的鳍、以及位于所述鳍和所述隔离结构上方的栅极结构，其中，所述隔离结构、所述鳍和所述栅极结构限定位于所述鳍上方的第一沟槽和位于所述隔离结构上方的第二沟槽；

在所述栅极结构、所述鳍和所述隔离结构上方形成第一接触蚀刻停止层(CESL)；

在所述第一接触蚀刻停止层上方沉积填充所述第一沟槽和所述第二沟槽的第一层间介电(ILD)层；以及

凹进所述第一层间介电层，从而去除所述第一沟槽中的所述第一层间介电层，并且将所述第二沟槽中的所述第一层间介电层凹进至与所述鳍的顶面齐平的水平处。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一接触蚀刻停止层在所述栅极结构的顶部上比在所述栅极结构的侧壁上更厚。

3.根据权利要求2所述的方法，还包括：

在凹进所述第一层间介电层之后，在所述第一沟槽中的所述第一接触蚀刻停止层上方并且在所述第二沟槽中的所述第一接触蚀刻停止层和所述第一层间介电层上方形成第二接触蚀刻停止层；以及

在所述第二接触蚀刻停止层上方沉积第二层间介电层，并且所述第二层间介电层填充在所述第一沟槽和所述第二沟槽的剩余间隔中。

4.根据权利要求3所述的方法，还包括：

形成到达所述第一沟槽中的所述第二层间介电层内的第一接触部件和到达所述第二沟槽中的所述第二层间介电层内的第二接触部件。

5.根据权利要求3所述的方法，其中，所述第二接触蚀刻停止层是共形的。

6.根据权利要求2所述的方法，其中，形成所述第一接触蚀刻停止层包括：

在所述栅极结构、所述鳍和所述隔离结构上方沉积包括介电材料的共形层；

用等离子体处理所述共形层，从而使得所述共形层的位于所述栅极结构的顶部上的第一部分比所述共形层的位于所述栅极结构的侧壁上的第二部分接收更多的等离子体处理；以及

将化学溶液施加到所述共形层上，所述化学溶液溶解所述第二部分比溶解所述第一部分更快。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述介电材料包括氮化硅。

8.根据权利要求6所述的方法，其中，所述等离子体使用氩气或氮气。

9.根据权利要求6所述的方法，其中，所述化学溶液包括稀释的氢氟酸(DHF)。

10.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在凹进所述第一层间介电层之后，凹进所述第一接触蚀刻停止层，从而使得所述第一接触蚀刻停止层从第一沟槽去除，并且从所述第一层间介电层之上的所述第二沟槽去除。

11.根据权利要求10所述的方法，还包括：

在凹进所述第一接触蚀刻停止层之后，在所述第一沟槽和所述第二沟槽的侧壁上形成第二接触蚀刻停止层；以及

在所述第二接触蚀刻停止层上方沉积第二层间介电层，并且所述第二层间介电层填充所述第一沟槽和所述第二沟槽的剩余间隔。

12.根据权利要求11所述的方法，还包括：

形成到达所述第一沟槽中的所述第二层间介电层内的第一接触部件和到达所述第二沟槽中的所述第二层间介电层内的第二接触部件。