[发明专利]多晶氮化铝基板的抛光方法及多晶氮化铝基板的成品

说明书

一种多晶氮化铝基板的抛光方法，包含下列步骤：将多晶氮化铝基板置于一抛光装置进行抛光作业，其中抛光装置所使用的抛光液的pH值介于7～9.5之间，且抛光液中包括重量百分比介于15～30％的研磨剂；在抛光作业完成后，将多晶氮化铝基板自该抛光装置取出。藉此可以让多晶氮化铝基板在抛光时维持在适当的移除速率，避免抛光速率过快造成表面上孔洞的产生。多晶氮化铝基板的成品经抛光后的至少一表面上，直径介于0.05～8μm的缺陷的缺陷密度小于10颗/cm²。

技术领域

本发明涉及基板的抛光技术，特别是涉及一种适用于多晶氮化铝基板的抛光方法及多晶氮化铝基板的成品。

背景技术

氮化铝基板具备高热传导性、电气绝缘性、与氮化镓晶格匹配性极佳的特点，因此，常应用于需要高压、高电流的功率元件，以及需要高频、高电压的射频元件。

氮化铝基板包括单晶与多晶的结构，单晶氮化铝基板具有高品质的优点，但以目前的技术而言，单晶氮化铝基板的生产成本高，且无法做到大尺寸(8时以上)的规格。相较而言，多晶氮化铝基板的结构虽有较多的缺陷(defect)，然而，可以达到8时以上大尺寸的规格。

多晶氮化铝基板为烧结成形的氮化铝块材切割而成，在切割后，在进行外延(磊晶)之前，为了确保基板表面的平坦度或是减少基板的厚度，皆会进行抛光作业。已知多晶氮化铝基板在抛光作业所使用的抛光液的pH值为10以上，藉以增加多晶氮化铝基板的抛光速率。然而，由于多晶氮化铝基板的表面包括了Al极性及N极性的晶粒，因此，Al极性晶粒与N极性晶粒的移除率不同，以pH值为10以上的抛光液抛光后其表面容易产生孔洞(pit，如图1中箭头所指的区域)，导致抛光后多晶氮化铝基板的品质不佳。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的在于提供一种多晶氮化铝基板的抛光方法及多晶氮化铝基板的成品，可以避免抛光后的多晶氮化铝基板表面产生孔洞。

为了实现上述目的，本发明提供的一种多晶氮化铝基板的抛光方法，包含下列步骤：将该多晶氮化铝基板置于一抛光装置，以对该多晶氮化铝基板的至少一表面进行抛光作业，其中该抛光装置所使用的抛光液的pH值介于一预定pH值范围，该预定pH值范围为pH7～9.5之间，且抛光液中包括研磨剂，研磨剂的重量百分比介于一预定重量百分比范围，该预定重量百分比范围为15～30％；以及抛光作业完成后，将该多晶氮化铝基板自该抛光装置取出。

本发明提供的一种多晶氮化铝基板的成品，是通过前述的抛光方法进行抛光，其中，该多晶氮化铝基板的成品经抛光后的至少一表面上，直径介于0.05～8μm的缺陷的缺陷密度小于10颗/cm²。

本发明的效果在于，藉由抛光液的pH值不大于9.5且研磨剂的预定重量百分比范围为15～30％，因此，可以让多晶氮化铝基板在抛光时维持在适当的移除速率，避免抛光速率过快造成表面上孔洞(pit)的产生。

附图说明

图1为已知的抛光方法抛光后的多晶氮化铝基板表面在显微镜下观察的照片；

图2为本发明一较佳实施例的抛光系统；

图3为上述实施例的抛光方法抛光后的多晶氮化铝基板表面在显微镜下观察的照片。

【附图标记说明】

[本发明]

10抛光装置 102容槽 12储存槽

14pH调整液供应源 16抛光液供应源 18控制装置

20输出管路 202抽取泵 22回流管路

222过滤件 24第一管路 242第一阀