[发明专利]多晶氮化铝基板的抛光方法及多晶氮化铝基板的成品在审
| 申请号： | 201711254506.5 | 申请日： | 2017-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN109866082A | 公开（公告）日： | 2019-06-11 |
| 发明（设计）人： | 王兴民;张延瑜;李瑞评;洪士哲;罗乾维 | 申请（专利权）人： | 兆远科技股份有限公司 |
| 主分类号： | B24B1/00 | 分类号： | B24B1/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 喻颖 |
| 地址： | 中国台湾新竹科学工业园*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氮化铝基板 多晶 抛光 抛光装置 抛光作业 抛光液 重量百分比 上孔洞 研磨剂 移除 取出 | ||
1.一种多晶氮化铝基板的抛光方法，包含下列步骤：
将该多晶氮化铝基板置于一抛光装置，以对该多晶氮化铝基板的至少一表面进行抛光作业，其中该抛光装置所使用的抛光液的pH值介于一预定pH值范围，该预定pH值范围为7～9.5之间，且抛光液中包括研磨剂，研磨剂的重量百分比介于一预定重量百分比范围，该预定重量百分比范围为15～30％；以及
抛光作业完成后，将该多晶氮化铝基板自该抛光装置取出。
2.如权利要求1所述的多晶氮化铝基板的抛光方法，包含控制抛光液维持于一预定温度范围，该预定温度范围介于8～40℃。
3.如权利要求2所述的多晶氮化铝基板的抛光方法，其中该预定温度范围介于10～20℃。
4.如权利要求1所述的多晶氮化铝基板的抛光方法，其中抛光液的该预定pH值范围为8～9。
5.如权利要求1所述的多晶氮化铝基板的抛光方法，包含监测抛光液的pH值，并控制抛光液的pH值维持于该预定pH值范围。
6.如权利要求1所述的多晶氮化铝基板的抛光方法，其中该预定重量百分比范围为20～25％。
7.如权利要求1所述的多晶氮化铝基板的抛光方法，包含监测抛光液中研磨剂的重量百分比，并控制研磨剂的重量百分比维持于该预定重量百分比范围。
8.如权利要求1所述的多晶氮化铝基板的抛光方法，其中抛光液包含添加剂，添加剂包含氧化剂、分散剂与盐类的至少一者。
9.一种多晶氮化铝基板的成品，系以如权利要求1的抛光方法所抛光，其中，该多晶氮化铝基板的成品经抛光后的至少一表面上，直径介于0.05～8μm的缺陷的缺陷密度小于10颗/cm2。
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