[发明专利]一种晶圆管芯通态压降的测量方法及装置

说明书

本发明实施例公开了一种晶圆管芯通态压降的测量方法及装置。其中，该测量方法包括：逐一单独向当前被测管芯中的每颗管芯的第一极施加电流，逐一获取每颗管芯对应的第一电压值；将当前被测管芯分成至少一个管芯组，任一管芯组包括至少两颗管芯；以管芯组为单位，逐步向每一管芯组内的所有管芯的第一极同时施加电流，获取每一管芯组内的每颗管芯对应的第二电压值；根据同一管芯组内的所有管芯对应的第一电压值和第二电压值，确定同一管芯组内的至少一颗管芯的通态压降；其中，每颗管芯对应的第一电压值和第二电压值均为管芯的第一极与载片台之间的电压。本发明实施例可以提高晶圆管芯通态压降测量的准确性。

技术领域

本发明涉及集成电路测试技术，尤其涉及一种晶圆管芯通态压降的测量方法及装置。

背景技术

晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆；在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构，而成为有特定电性功能的集成电路产品。

晶圆测试，需要配置有模拟电压/电流源表的自动测试设备和载放晶圆的专用设备——探针台。晶圆中包含有多颗管芯，需要测试每颗管芯的管芯通态压降。晶圆的背面是一个公共电极，若晶圆是肖特基晶圆，该公共电极可以是在晶圆内部，所有管芯的阴极相连，并通过晶圆的背面的公共电极引出，晶圆的顶面将各管芯的阳极分别引出；若晶圆是MOSFET晶圆，该公共电极可以是在晶圆内部，所有管芯的漏极相连，并通过晶圆的背面的公共电极引出，晶圆的正面将各管芯的源极和栅极分别引出。以测量肖特基晶圆的管芯通态压降为例，在待测晶圆测试时，真空吸嘴将晶圆吸附在探针台的载片台上，使得待测晶圆的背面的公共电极与载片台相连。载片台具有良好的导电特性。将电压表的正极，以及电流源的正极均与管芯的阳极连接，将电压表的负极，以及电流源的负极均与载片台连接。将电压表的测量值作为被测管芯的管芯压降。由于晶圆的背面的公共电极与探针台吸盘之间存在接触电阻，导致电压表的测量值包括晶圆的背面的公共电极与探针台吸盘之间存在接触电阻上的压降，并非被测管芯的实际管芯压降，故测量误差较大。

发明内容

本发明实施例提供一种晶圆管芯通态压降的测量方法及装置，以实现晶圆管芯压降的准确测量。

第一方面，本发明实施例提供了一种晶圆管芯通态压降的测量方法，待测晶圆包括多颗管芯，待测晶圆的多颗管芯的第一极位于待测晶圆的正面，待测晶圆的多颗管芯的第二极相连，并通过待测晶圆的背面的公共电极与载片台相连，该方法包括：

逐一单独向当前被测管芯中的每颗管芯的第一极施加电流，逐一获取每颗管芯对应的第一电压值；

将当前被测管芯分成至少一个管芯组，任一管芯组包括至少两颗管芯；

以管芯组为单位，逐步向每一管芯组内的所有管芯的第一极同时施加电流，获取每一管芯组内的每颗管芯对应的第二电压值；

根据同一管芯组内的所有管芯对应的第一电压值和第二电压值，确定同一管芯组内的至少一颗管芯的通态压降；

其中，当前被测管芯为当前与测试探针一一对应电连接的被测管芯，每颗管芯对应的第一电压值和第二电压值均为管芯的第一极与载片台之间的电压。

进一步地，至少一个管芯组包括第一管芯组，第一管芯组内的第i颗管芯的通态压降为其中，i＝1、2……N，第一管芯组的管芯数量为N，第一管芯组内的每颗管芯对应的第一电压值分别为V_M1、V_M2……V_MN，第一管芯组内的每颗管芯对应的第二电压值分别为V_M1'、V_M2'……V_MN'。

进一步地，任一测试探针在获取第一电压值和第二电压值时，向其对应的管芯的第一极施加的电流相等。

进一步地，还包括：通过接口函数，从探针台获取当前被测管芯的编号和数量。