[发明专利]芯片尺寸封装结构及其制备方法

说明书

本发明提供一种芯片尺寸封装结构及其制备方法，所述芯片尺寸封装结构包括：一半导体芯片，所述半导体芯片正面形成有与其内部功能器件相连接的第一连接焊垫；一基板，所述基板的正面形成有第二连接焊垫；金属引线，位于所述半导体芯片与所述基板之间，且与一端与所述第一连接焊垫相连接，另一端与所述第二连接焊垫相连接。本发明的芯片尺寸封装结构通过打线工艺在半导体芯片表面形成金属引线，可以实现单一半导体芯片与基板的电连接，可以实现单一半导体芯片的塑封；同时，通过打线工艺形成的所述金属引线的高度可以根据实际需要进行控制，可以得到高度足够高的金属引线。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别是涉及一种芯片尺寸封装结构及其制备方法。

背景技术

在现有工艺中，一般是通过在晶圆上制作出若干个半导体芯片之后，将所述半导体芯片进行晶圆级封装(即先以晶圆为单位将半导体芯片进行封装，而后再将封装好结构切片呈一个一个单独的半导体芯片)，此时，所述半导体芯片可以通过铜柱(Cu pillarbump)与其他结构电连接。而若在特殊工艺中，需要对切割后的单个半导体芯片进行封装时，现有的工艺无法在单个所述半导体芯片上制作铜柱，无法通过现有的封装工艺对单个半导体芯片进行有效封装。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种芯片尺寸封装结构及其制备方法，用于解决现有技术中无法在单个半导体芯片上制作铜柱，无法对单个半导体芯片进行有效封装的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种芯片尺寸封装结构，所述芯片尺寸封装结构包括：

一半导体芯片，所述半导体芯片正面形成有与其内部功能器件相连接的第一连接焊垫；

一基板，所述基板的正面形成有第二连接焊垫；

金属引线，位于所述半导体芯片与所述基板之间，且与一端与所述第一连接焊垫相连接，另一端与所述第二连接焊垫相连接。

优选地，所述芯片尺寸封装结构还包括固封层，位于所述半导体芯片与所述基板之间，且固封于各所述金属引线外围。

优选地，所述固封层的材料包括焊锡。

优选地，所述金属引线包括：

连接凸块，与所述第一连接焊垫相连接；

金属线，位于所述连接凸块上，与所述连接凸块及所述第二连接焊垫相连接。

优选地，所述金属引线包括：

连接凸块，与所述第二连接焊垫相连接；

金属线，位于所述连接凸块上，与所述连接凸块及所述第一连接焊垫相连接。

优选地，所述第一连接焊垫、所述第二连接焊垫及所述金属引线的数量均为若干个，且所述金属引线与所述第一连接焊垫及所述第二连接焊垫一一对应连接。

优选地，所述芯片尺寸封装结构还包括底部填充胶，填充于所述半导体芯片与所述基板之间，且填满所述金属引线之间的间隙。

本发明还提供一种芯片尺寸封装结构的制备方法，所述芯片尺寸封装结构的制备方法包括如下步骤：

1)提供一半导体芯片，所述半导体芯片的正面形成有第一连接焊垫；

2)采用打线工艺于所述半导体芯片正面形成金属引线，所述金属引线与所述第一连接焊垫相连接；

3)提供一基板，所述基板的正面形成有第二连接焊垫；

4)采用丝网印刷工艺于所述基板的正面形成焊锡，所述焊锡位于所述第二连接焊垫的表面；

5)将所述半导体芯片倒装装设于所述基板的正面，所述金属引线与所述焊锡相接触；