[发明专利]TFT基板制作方法

说明书

本发明提供了一种TFT基板制作方法，包括以下的步骤：提供基板；在所述基板上依次成型保护层、氢化膜层及图案化的光阻层；对所述氢化膜层进行脱氢处理，形成脱氢膜层；蚀刻所述保护层和所述脱氢膜层，所述脱氢膜层的边缘相对于所述光阻层的边缘及所述保护层的边缘内缩，以在所述光阻层与所述保护层之间形成凹槽；在所述基板上沉积功能膜层，所述功能膜层包括位于所述光阻层上第一功能膜层及位于所述基板表面的第二功能膜层，所述第一功能膜层与所述保护层之间形成所述凹槽的开口；将所述光阻层设于剥离液中，所述剥离液通过所述凹槽的开口填充所述凹槽，并与所述光阻层反应，以使所述光阻层脱离所述保护层。本发明能够提高显示面板的生产效率。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种薄膜晶体管(TFT)基板的制作方法。

背景技术

在制作薄膜晶体管阵列基板(在本发明中称为TFT基板)的过程中，每一层结构的形成均需要通过一道光刻制程。一般而言，整个TFT基板的制程需要五道光罩(5mask)。然而，过多的光罩次数会增加制程成本，同时也会造成工序流程过长和良品率问题的累积，使生产效率大大降低。

为了缩减光罩数量，可以借助剥离(Lift-off)工艺将铟锡氧化物半导体透明导电膜(ITO层)和保护层(PV层)通过一道光罩同时形成，从而使得光罩总数减小至三道(3mask)。但是，在用剥离液去除光阻层的过程中，由于在光阻层上覆盖了一层薄膜，因此剥离液无法直接接触到光阻层，从而对去除光阻层及形成图案造成阻碍，进而阻碍了光刻制程，造成显示面板的生产效率降低。

发明内容

本发明提供了一种TFT基板制作方法，能够提高显示面板的生产效率。

本发明提供了一种TFT基板制作方法，包括以下的步骤：

提供基板；

在所述基板上依次成型保护层、氢化膜层及图案化的光阻层，所述氢化膜层为经过氢化处理的膜层；

对所述氢化膜层进行脱氢处理，形成脱氢膜层；

蚀刻所述保护层和所述脱氢膜层，所述脱氢膜层的边缘相对于所述光阻层的边缘及所述保护层的边缘内缩，以在所述光阻层与所述保护层之间形成凹槽；

在所述基板上沉积功能膜层，所述功能膜层包括位于所述光阻层上第一功能膜层及位于所述基板表面的第二功能膜层，所述第一功能膜层与所述保护层之间形成所述凹槽的开口；

将所述光阻层设于剥离液中，所述剥离液通过所述凹槽的开口填充所述凹槽，并与所述光阻层反应，以使所述光阻层脱离所述保护层。

其中，所述氢化膜层为氢化处理过的非晶硅层或氮硅层。

其中，对所述氢化膜层进行脱氢处理，形成脱氢膜层的步骤中，所述脱氢膜层呈蜂窝结构。

其中，在蚀刻所述保护层和所述脱氢膜层的步骤中，对所述保护层及所述脱氢膜层进行干刻处理。

其中，在蚀刻所述保护层和所述脱氢膜层的步骤中，所述脱氢膜层的刻蚀速率大于所述保护层的刻蚀速率。

其中，将所述光阻层设于剥离液中，所述剥离液通过所述凹槽的开口填充所述凹槽，并与所述光阻层反应的步骤中，所述剥离液腐蚀所述光阻层朝向所述基板的表面，以使所述光阻层从所述保护层上脱离，并使位于所述光阻层上的所述第一功能膜层脱离所述保护层。

其中，在对所述氢化膜层进行脱氢处理的步骤中，采用激光照射或加热的方法对所述氢化膜层进行脱氢处理。

其中，所述功能膜层为ITO薄膜。

其中，在所述基板上依次成型保护层、氢化膜层及图案化的光阻层的步骤中，所述氢化膜层为氢化的非晶硅层；