[发明专利]TFT基板制作方法有效
| 申请号： | 201711245330.7 | 申请日： | 2017-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN107895713B | 公开（公告）日： | 2020-05-05 |
| 发明（设计）人： | 江志雄 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L27/12 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫;熊永强 |
| 地址： | 518132 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | tft 制作方法 | ||
1.一种TFT基板制作方法，其特征在于，包括以下的步骤：
提供基板；
在所述基板上依次成型保护层、氢化膜层及图案化的光阻层，所述氢化膜层为经过氢化处理的膜层；
对所述氢化膜层进行脱氢处理，形成脱氢膜层；
蚀刻所述保护层和所述脱氢膜层，所述脱氢膜层的边缘相对于所述光阻层的边缘及所述保护层的边缘内缩，以在所述光阻层与所述保护层之间形成凹槽；
在所述基板上沉积功能膜层，所述功能膜层包括位于所述光阻层上第一功能膜层及位于所述基板表面的第二功能膜层，所述第一功能膜层与所述保护层之间形成所述凹槽的开口；
将所述光阻层设于剥离液中，所述剥离液通过所述凹槽的开口填充所述凹槽，并与所述光阻层反应，以使所述光阻层脱离所述保护层。
2.如权利要求1所述的TFT基板制作方法，其特征在于，所述氢化膜层为氢化处理过的非晶硅层或氮硅层。
3.如权利要求2所述的TFT基板制作方法，其特征在于，对所述氢化膜层进行脱氢处理，形成脱氢膜层的步骤中，所述脱氢膜层呈蜂窝结构。
4.如权利要求3所述的TFT基板制作方法，其特征在于，在蚀刻所述保护层和所述脱氢膜层的步骤中，对所述保护层及所述脱氢膜层进行干刻处理。
5.如权利要求4所述的TFT基板制作方法，其特征在于，在蚀刻所述保护层和所述脱氢膜层的步骤中，所述脱氢膜层的刻蚀速率大于所述保护层的刻蚀速率。
6.如权利要求1所述的TFT基板制作方法，其特征在于，将所述光阻层设于剥离液中，所述剥离液通过所述凹槽的开口填充所述凹槽，并与所述光阻层反应的步骤中，所述剥离液腐蚀所述光阻层朝向所述基板的表面，以使所述光阻层从所述保护层上脱离，并使位于所述光阻层上的所述第一功能膜层脱离所述保护层。
7.如权利要求1所述的TFT基板制作方法，其特征在于，在对所述氢化膜层进行脱氢处理的步骤中，采用激光照射或加热的方法对所述氢化膜层进行脱氢处理。
8.如权利要求1所述的TFT基板制作方法，其特征在于，所述功能膜层为ITO薄膜。
9.如权利要求1所述的TFT基板制作方法，其特征在于，在所述基板上依次成型保护层、氢化膜层及图案化的光阻层的步骤中，所述氢化膜层为氢化的非晶硅层；
在通过所述凹槽去除所述光阻层的步骤之后，还包括采用干刻工艺去除所述脱氢膜层。
10.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，提供基板的步骤还包括：
提供透明板；
在所述透明板上沉积栅极；
在所述透明板上沉积栅极绝缘层；
在所述栅极绝缘层上成型半导体层和源漏极；
在所述栅极绝缘层、所述半导体层和所述源漏极上沉积保护层。
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