[发明专利]一种含硼氮键的苝酰亚胺类光电小分子材料及其制备方法与应用有效
| 申请号： | 201711244667.6 | 申请日： | 2017-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN107964021B | 公开（公告）日： | 2021-03-30 |
| 发明（设计）人： | 黄飞;王仕亮;刘熙;曹镛 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | C07F5/02 | 分类号： | C07F5/02;H01L51/50;H01L51/54;H01L51/42;H01L51/46 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 何淑珍 |
| 地址： | 511458 广东省广州市*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 含硼氮键 亚胺 光电 分子 材料 及其 制备 方法 应用 | ||
【权利要求书】：
1.一种含硼氮键的苝酰亚胺类光电小分子材料的制备方法，其特征在于，反应方程式如下所示：
具体包括如下步骤：
(1)将化合物1与含R2的胺溶于四氢呋喃中，常温下反应8～12小时，得到化合物2；
(2)将化合物2与含R3的二氯硼烷溶于甲苯中，加入催化剂三乙基胺，100～150℃下反应8～12小时，得到化合物3；
(3)将化合物3与以Ar桥接的双三甲基锡溶于甲苯中，加入催化剂四(三苯基膦)钯，120～150℃反应8～12小时，得到目标产物，即所述含硼氮键的苝酰亚胺类光电小分子材料；
所述含硼氮键的苝酰亚胺类光电小分子材料的化学结构式如下所示：
式中，R1、R2选自CH(C5H11)2或正丙基；R3为苯基；
Ar为以下结构中的一种以上：
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，所述化合物1与含R2的胺的摩尔比为1：1～1：1.5。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)中，所述化合物2与含R3的二氯硼烷的摩尔比为1：0.8～1：1；所述三乙基胺的用量为化合物2质量的0.2％～2％。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(3)中，所述化合物3与以Ar桥接的双三甲基锡的摩尔比为2：0.8～2：1；所述四(三苯基膦)钯的用量为化合物3质量的3％～8％。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华南理工大学，未经华南理工大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201711244667.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
