[发明专利]PMOS器件及其制备方法及计算机

权利要求书

1.一种PMOS器件的制备方法，其特征在于，包括：

(a)选取Si衬底；

(b)在所述Si衬底上制作晶化SiGe层；

(c)在所述晶化SiGe层上制作N型应变Ge层；

(d)在所述N型应变Ge层表面的第一指定区域制作栅极；

(e)在所述N型应变Ge层的第二指定区域与第三指定区域分别制作源区与漏区；

(f)在所述源区与所示漏区表面分别制作源区电极与漏区电极。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在步骤(b)之前，还包括：

(x1)利用RCA工艺，清洗所述Si衬底；

(x2)利用氢氟酸溶液，清洗所述Si衬底以去除所述Si衬底表面的氧化层。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，步骤(b)包括：

(b1)利用磁控溅射工艺，在所述Si衬底上淀积SiGe层；

(b2)利用CVD工艺，在所述SiGe层上淀积SiO2层；

(b3)利用激光再晶化工艺处理包括所述Si衬底、所述SiGe层及所述SiO2层的整个材料，并将所述整个材料进行自然冷却处理；

(b4)利用干法刻蚀工艺，刻蚀掉所述SiO2层，得到所述晶化SiGe层。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，在步骤(b3)之前，还包括：

将包括所述Si衬底、所述SiGe层及所述SiO2层的整个材料进行预热处理。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(c)包括：

(c1)利用减压CVD工艺，在所述晶化SiGe层上淀积所述N型应变Ge层；

(c2)在H2O2溶液中，将包括所述Si衬底、所述晶化SiGe层及所述N型应变Ge层的整个材料进行浸泡处理，以在所述N型应变Ge层表面形成GeO2钝化层。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，步骤(d)包括：

(d1)利用原子层淀积工艺，在所述GeO2钝化层上淀积HfO2层；

(d2)利用反应溅射工艺，在所述HfO2层上淀积TaN层；

(d3)利用刻蚀工艺，选择性刻蚀所述HfO2层与所述TaN层，在所述第一指定区域形成所述栅极。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，步骤(e)包括：

(e1)利用光刻工艺，选择性刻蚀光刻胶，在露出的所述N型应变Ge层表面进行B离子注入，分别形成第一离子注入区域与第二离子注入区域；

(e2)利用快速退火工艺，将包括所述Si衬底、所述N型应变Ge层及所述栅极的整个材料进行退火处理，以使所述第一离子注入区域与所述第二离子注入区域分别形成所述源区与所述漏区；

(e3)去除所述光刻胶。

8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，步骤(f)包括：

(f1)利用CVD工艺，在所述栅极、所述源区及所述漏区上淀积BPSG层；

(f2)利用硝酸与氢氟酸，选择性刻蚀所述BPSG层，分别形成源区接触孔与漏区接触孔；

(f3)利用电子束蒸发工艺，在所述源区接触孔、所述漏区接触孔及所述BPSG层上淀积钨层；

(f4)利用刻蚀工艺，选择性刻蚀所述钨层，分别形成所述源区电极与所述漏区电极；

(f5)利用CVD工艺，在所述源区电极、所述漏区电极及所述BPSG层表面淀积SiN钝化层。