[发明专利]接口电路有效
申请号: | 201711236410.6 | 申请日: | 2017-11-30 |
公开(公告)号: | CN109861683B | 公开(公告)日: | 2021-02-23 |
发明(设计)人: | 周玉镇;曹炜;冯军;陶云彬 | 申请(专利权)人: | 华为技术有限公司 |
主分类号: | H03K19/0185 | 分类号: | H03K19/0185;H03K19/003 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 518129 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 接口 电路 | ||
1.一种接口电路,其特征在于,所述接口电路包括:反相器;
所述反相器的输入端与第一电源域电路的信号输出端连接,所述反相器的输出端与第二电源域电路的信号输入端连接;
所述反相器的电源端与所述第一电源域电路的电源连接,所述反相器的接地端与所述第二电源域电路的参考地连接;或者,所述反相器的电源端与所述第二电源域电路的电源连接,所述反相器的接地端与所述第一电源域电路的参考地连接。
2.如权利要求1所述的接口电路,其特征在于,所述反相器包括正沟道金属氧化物半导体PMOS管和负沟道金属氧化物半导体NMOS管;
所述PMOS管的栅极和所述NMOS管的栅极均与所述第一电源域电路的信号输出端连接,所述PMOS管的漏极和所述NMOS管的漏极均与所述第二电源域电路的信号输入端连接;
所述PMOS管的源极与所述第一电源域电路的电源连接,所述NMOS管的源极与所述第二电源域电路的参考地连接;或者,所述PMOS管的源极与所述第二电源域电路的电源连接,所述NMOS管的源极与所述第一电源域电路的参考地连接。
3.一种接口电路,其特征在于,所述接口电路包括:与非门电路;
所述与非门电路的n个输入端与多个电源域电路的n个信号输出端一一连接,所述与非门电路的输出端与目标电源域电路的信号输入端连接,所述与非门电路的n个输入端与所述与非门电路的n个电源端一一对应,所述n为大于或等于2的整数;
所述与非门电路的n个电源端中的第i个电源端与所述n个信号输出端中的第i个信号输出端所属的电源域电路的电源连接,所述与非门电路的接地端与所述目标电源域电路的参考地连接,所述i为大于或等于1且小于或等于n的整数;或者,所述与非门电路的n个电源端均与所述目标电源域电路的电源连接,所述与非门电路的接地端与所述n个信号输出端中的目标信号输出端所属的电源域电路的参考地连接,所述目标信号输出端与所述与非门电路的n个输入端中的目标输入端连接。
4.如权利要求3所述的接口电路,其特征在于,所述与非门电路包括n个正沟道金属氧化物半导体PMOS管和n个负沟道金属氧化物半导体NMOS管;
所述n个PMOS管中的第i个PMOS管的栅极和所述n个NMOS管中的第i个NMOS管的栅极均与所述第i个信号输出端连接,所述n个PMOS管中的每个PMOS管的漏极和所述n个NMOS管中的第1个NMOS管的漏极均与所述目标电源域电路的信号输入端连接;
所述第i个PMOS管的源极与所述第i个信号输出端所属的电源域电路的电源连接,所述n个NMOS管串联连接,所述n个NMOS管中的第n个NMOS管的源极与所述目标电源域电路的参考地连接;或者,所述n个PMOS管中的每个PMOS管的源极与所述目标电源域电路的电源连接,所述n个NMOS管串联连接,所述第n个NMOS管的源极与所述目标信号输出端所属的电源域电路的参考地连接。
5.一种接口电路,其特征在于,所述接口电路包括:或非门电路;
所述或非门电路的m个输入端与多个电源域电路的m个信号输出端一一连接,所述或非门电路的输出端与目标电源域电路的信号输入端连接,所述或非门电路的m个输入端与所述或非门电路的m个接地端一一对应,所述m为大于或等于2的整数;
所述或非门电路的电源端与所述m个信号输出端中的目标信号输出端所属的电源域电路的电源连接,所述或非门电路的m个接地端均与所述目标电源域电路的参考地连接,所述目标信号输出端与所述或非门电路的m个输入端中的目标输入端连接;或者,所述或非门电路的电源端与所述目标电源域电路的电源连接,所述或非门电路的m个接地端中的第k个接地端与所述m个信号输出端中的第k个信号输出端所属的电源域电路的参考地连接,所述k为大于或等于1且小于或等于m的整数。
6.如权利要求5所述的接口电路,其特征在于,所述或非门电路包括m个正沟道金属氧化物半导体PMOS管和m个负沟道金属氧化物半导体NMOS管;
所述m个PMOS管中的第k个PMOS管的栅极和所述m个NMOS管中的第k个NMOS管的栅极均与所述第k个信号输出端连接,所述m个PMOS管中的第m个PMOS管的漏极和所述m个NMOS管中的每个NMOS管的漏极均与所述目标电源域电路的信号输入端连接;
所述m个PMOS管中的第1个PMOS管的源极与所述目标信号输出端所属的电源域电路的电源连接,所述m个PMOS管串联连接,所述m个NMOS管中的每个NMOS管的源极与所述目标电源域电路的参考地连接;或者,所述第1个PMOS管的源极与所述目标电源域电路的电源连接,所述m个PMOS管串联连接,所述第k个NMOS管的源极与所述第k个信号输出端所属的电源域电路的参考地连接。
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