[发明专利]薄膜晶体管和使用该薄膜晶体管的显示面板有效
申请号: | 201711236276.X | 申请日: | 2017-11-30 |
公开(公告)号: | CN108122930B | 公开(公告)日: | 2022-01-28 |
发明(设计)人: | 河宗武 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L29/786 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;刘久亮 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 薄膜晶体管 使用 显示 面板 | ||
提供了一种薄膜晶体管和使用该薄膜晶体管的显示面板。显示面板包括:包括像素区域和非像素区域的基板,和设置在非像素区域上的双栅极晶体管。双栅极晶体管包括串联连接的第一晶体管和第二晶体管,以及连接第一晶体管和第二晶体管的两个栅极的辅助电极。辅助电极设置在与栅极不同的层上。因此,减小了形成双栅极晶体管的面积并且确保了驱动电路的稳定性。
技术领域
本公开涉及薄膜晶体管和使用该薄膜晶体管的显示面板,并且更详细地说,涉及应用有用于实现高分辨率和窄边框的双栅级结构的薄膜晶体管。
背景技术
随着进入信息时代,视觉地显示电信息信号的显示装置领域正在迅速发展。显示装置不仅用于观看、欣赏以及分享简单的图像,而且还用于观看、欣赏以及分享各种内容,如文字、图片、以及视频。因此,一直在继续进行用于增加显示装置的分辨率的研究以实现就好像用户通过各种显示装置观看实际对象一样的屏幕。而且,正在进行用于消除除了用于显示画面的区域之外的其它不必要区域的研究,以便实现可以随时随地使用的薄而轻的显示装置。也就是说,这些是用于实现缩小包围用于显示画面的区域的边界区域的显示装置的研究。这样的显示装置被称作窄边框显示装置。应用有窄边框的显示装置的代表例包括:液晶显示装置(LCD)、等离子显示面板装置 (PDP)、场致发射显示装置(FED)、电泳显示装置(EPD)、电润湿显示装置(EWD),有机发光显示装置(OLED)。
显示装置被分成显示画面的显示区域和不显示画面的边框区域。在显示区域中,设置有表示颜色的子像素,并且在每个子像素中设置有驱动子像素的像素驱动电路。在这种情况下,一些像素驱动电路可以被子像素共用。而且,将传送外部信号到像素的驱动电路设置在边框区域中。因此,为了实现高分辨率并且缩减边框面积,需要缩减驱动子像素的电路和发送外部信号的电路所占据的面积。
驱动像素和发送信号的上述电路由诸如薄膜晶体管(TFT)和电容器之类的驱动部件构成。在这些当中,薄膜晶体管具有包括栅极、源极以及漏极的三个端子和形成电子或空穴移动通过的沟道层的有源层(或半导体层)。根据源极和漏极的掺杂类型,薄膜晶体管被分类成P型和N型薄膜晶体管,以及由P型和N型晶体管的组合形成的C型薄膜晶体管。而且,根据有源层的类型,薄膜晶体管被分类成非晶硅晶体管 (a-Si TFT)、多晶硅晶体管(p-SiTFT)、单晶硅晶体管(c-Si TFT)、以及氧化物晶体管(氧化物TFT)。
而且,根据设置栅极、源极、漏极、以及有源层的方法,薄膜晶体管的结构被分类成将栅极设置在有源层上方的顶栅结构,将栅极设置在有源层下方的底栅结构或倒置结构。薄膜晶体管的结构还可以被分类成其中栅极和源极/漏极相对于有源层上下分离的交错结构,和其中将源极/漏极形成为平行于有源层的共面结构。也就是说,薄膜晶体管的结构可以被分类成交错结构(或顶栅交错结构)、倒置交错结构(或底栅交错结构)、共面结构(或顶栅共面结构)以及倒置共面结构(或底栅共面结构)。一般来说,非晶硅晶体管可以采用倒置交错结构,而多晶硅晶体管可以采用共面结构。
使用具有上述各种结构的薄膜晶体管的电路可以被应用于各种显示装置。因此,需要一种用于按最小面积来配置设置在显示区域和边框区域中的驱动电路的技术,以实现显示装置的高分辨率并且缩减边框区域。
发明内容
显示装置可以利用各种类型的显示面板来实现。显示面板是用于显示画面的最小装置,并且包括发射具有红光、绿光、蓝光或白光波长或类似波长的光的子像素,并通过其组合显示画面。因此,显示面板可以包括子像素、驱动子像素并调节从子像素发射的光的强度的像素驱动电路、向像素驱动电路传送外部输入信号的选通驱动电路和数据驱动电路、以及用于需要触摸的面板的触摸驱动电路。
像素驱动电路针对每个子像素单独设置,以调节子像素的发光亮度。为了稳定地驱动子像素,需要抑制因像素驱动电路中产生的泄漏电流或驱动晶体管的器件特性劣化而造成的发光亮度失真。因此,为了实现稳定的像素驱动电路,像素驱动电路变得复杂,并且像素驱动电路所占据的面积增加。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的