[发明专利]薄膜晶体管和使用该薄膜晶体管的显示面板有效
申请号: | 201711236276.X | 申请日: | 2017-11-30 |
公开(公告)号: | CN108122930B | 公开(公告)日: | 2022-01-28 |
发明(设计)人: | 河宗武 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L29/786 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;刘久亮 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 薄膜晶体管 使用 显示 面板 | ||
1.一种显示面板,该显示面板包括:
基板,所述基板包括像素区域和非像素区域;以及
双栅极晶体管,所述双栅极晶体管位于所述非像素区域上,
其中,所述双栅极晶体管包括串联连接的第一晶体管和第二晶体管,以及连接所述第一晶体管和所述第二晶体管的两个栅极的辅助电极,并且
所述辅助电极与所述栅极位于不同的层上,
其中,所述双栅极晶体管包括位于所述基板上的有源层,所述有源层具有L形状,并且由所述L形状的两条边形成的角度小于180°,并且
其中,所述辅助电极位于设置有所述有源层的区域内。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其中,所述双栅极晶体管还包括:
所述两个栅极,这两个栅极彼此隔开地位于所述有源层上;以及
绝缘层,所述绝缘层设置在通过所述绝缘层中的接触孔相连接的所述两个栅极上。
3.根据权利要求2所述的显示面板,其中,所述双栅极晶体管包括位于所述绝缘层上的源极和漏极,并且
所述源极、所述漏极、以及所述辅助电极由同一材料形成。
4.根据权利要求2所述的显示面板,其中,所述有源层由多晶硅形成。
5.根据权利要求1所述的显示面板,其中,所述双栅极晶体管构成设置在所述非像素区域中的选通驱动器。
6.根据权利要求1所述的显示面板,所述显示面板还包括:
第三栅极晶体管,在所述第三栅极晶体管中一个晶体管还串联连接至所述双栅极晶体管。
7.一种显示面板,该显示面板包括:
柔性基板;以及
多个晶体管,所述多个晶体管位于所述柔性基板上,
其中,所述多个晶体管包括多栅极晶体管,在所述多栅极晶体管中至少两个晶体管串联连接,并且所述多栅极晶体管具有多个栅极,所述多个栅极通过设置在所述栅极上的绝缘层中的接触孔彼此连接,
其中,所述显示面板还包括位于所述绝缘层上的辅助电极,
其中,所述多栅极晶体管包括位于所述柔性基板上的有源层,所述有源层具有L形状,并且由所述L形状的两条边形成的角度小于180°,并且
其中,所述辅助电极位于设置有所述有源层的区域内。
8.根据权利要求7所述的显示面板,其中,所述接触孔的数量等于或大于所述多栅极晶体管的数量。
9.根据权利要求7所述的显示面板,其中,所述辅助电极通过所述接触孔与所述栅极接触。
10.根据权利要求7所述的显示面板,其中,所述辅助电极与所述栅极交叠,并且设置在形成所述栅极的区域中。
11.根据权利要求7所述的显示面板,其中,所述多栅极晶体管包括顶栅结构。
12.根据权利要求11所述的显示面板,其中,所述有源层由多晶硅形成。
13.一种薄膜晶体管,该薄膜晶体管包括:
有源层,所述有源层位于基板上并且具有彼此隔开的两个沟道层;
第一绝缘层,所述第一绝缘层位于所述有源层上;
两个栅极,所述两个栅极在所述第一绝缘层上彼此隔开,以形成双栅级结构;以及
源极和漏极,所述源极和漏极位于所述有源层上并且所述有源层位于其间,所述源极和漏极通过所述第一绝缘层中的接触孔电连接至所述有源层,
其中,所述两个栅极通过设置在与所述两个栅极不同的层上的连接结构彼此电连接,
其中,所述有源层具有L形状,并且由所述L形状的两条边形成的角度小于180°,并且
其中,所述连接结构位于设置有所述有源层的区域内。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的