[发明专利]CMOS器件及其形成方法

权利要求书

1.一种CMOS器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供一基底，在所述基底上定义有一PMOS有源区和一NMOS有源区；

在所述基底中形成多个隔离沟槽，所述多个隔离沟槽位于所述NMOS有源区和所述PMOS有源区的外围；

在所述PMOS有源区外围的隔离沟槽中靠近所述PMOS有源区一侧的侧壁上形成一压应力层；

在所述NMOS有源区外围的隔离沟槽中靠近所述NMOS有源区一侧的侧壁上形成一张应力层；以及，

在所述隔离沟槽中填充一隔离介质层。

2.根据权利要求1所述的CMOS器件的形成方法，其特征在于，所述压应力层包括利用热氧化工艺形成的第一氧化硅层。

3.根据权利要求2所述的CMOS器件的形成方法，其特征在于，所述压应力层的形成方法包括：

执行热氧化工艺，在所述NMOS有源区与所述PMOS有源区外围的所述隔离沟槽的侧壁形成第一氧化硅层；

在所述PMOS有源区上形成掩膜层，所述PMOS有源区及所述PMOS有源区外围的隔离沟槽中靠近所述PMOS有源区的侧壁上的第一氧化硅层上覆盖有所述掩膜层；

以所述掩膜层为掩膜，去除位于所述NMOS有源区外围的隔离沟槽中靠近所述NMOS有源区的侧壁上的所述第一氧化硅层，剩余的第一氧化硅层构成所述压应力层；

去除所述掩膜层。

4.根据权利要求1所述的CMOS器件的形成方法，其特征在于，所述张应力层包括利用化学气相沉积工艺形成的第二氧化硅层。

5.根据权利要求4所述的CMOS器件的形成方法，其特征在于，在形成所述张应力层之后再形成所述隔离介质层，其中，所述张应力层的形成方法以及所述隔离介质层的形成方法包括：

执行化学气相沉积工艺，在所述NMOS有源区、所述PMOS有源区和所述隔离沟槽中沉积第二氧化硅层；

在所述第二氧化硅层上形成隔离介质层，所述隔离介质层填充所述隔离沟槽；

部分去除隔离介质层和第二氧化硅层，以去除第二氧化硅层中位于所述PMOS有源区顶部和位于所述NMOS有源区顶部的部分，并使剩余的隔离介质层仅填充在所述隔离沟槽中，剩余的第二氧化硅层构成所述张应力层。

6.根据权利要求5所述的CMOS器件的形成方法，其特征在于，所述张应力层的形成方法还包括：

执行化学气相沉积工艺沉积所述第二氧化硅层之后，在所述NMOS有源区上形成掩膜层，所述NMOS有源区及所述NMOS有源区外围的隔离沟槽中靠近所述NMOS有源区的侧壁上的第二氧化硅层上覆盖有所述掩膜层；

以所述掩膜层为掩膜，去除位于所述NMOS有源区外围的隔离沟槽中靠近所述NMOS有源区的侧壁上的第二氧化硅层，剩余的第二氧化硅层构成所述张应力层；

去除所述掩膜层。

7.根据权利要求1所述的CMOS器件的形成方法，其特征在于，所述隔离介质层利用等离子体化学气相沉积工艺形成。

8.根据权利要求1所述的CMOS器件的形成方法，其特征在于，在形成所述隔离沟槽之前，还包括，在所述PMOS有源区和所述NMOS有源区上形成刻蚀停止层。

9.一种CMOS器件，其特征在于，包括：

基底，在所述基底上定义有一PMOS有源区和一NMOS有源区；

多个隔离沟槽，形成在所述基底中并位于所述NMOS有源区和所述PMOS有源区的外围；

压应力层，形成在所述PMOS有源区外围的隔离沟槽中靠近所述PMOS有源区一侧的侧壁上；

张应力层，至少形成在所述NMOS有源区的外围的隔离沟槽中靠近所述NMOS有源区一侧的侧壁上；

隔离介质层，填充在所述隔离沟槽中。

10.如权利要求9所述的CMOS器件，其特征在于，所述张应力层还形成在所述PMOS有源区外围的隔离沟槽中靠近所述PMOS有源区一侧的侧壁上，并且所述张应力层覆盖所述压应力层。