[发明专利]一种全彩色平面排列的Micro-LED阵列制备方法

权利要求书

1.一种全彩色平面排列的Micro-LED阵列制备方法，其特征在于，全彩色Micro-LED阵列包括导电衬底、发光单元、栅格状隔离结构、金属电极区，发光单元包括红光发光单元、绿光发光单元、蓝光发光单元，所述红、蓝、绿三种发光单元每一种法官单元本身为列式排布，红、蓝、绿三种发光单元列又采用平面交叉间隔排列方式，每个发光单元表面覆盖利用电子束蒸镀技术制备的ITO透明电极，作为p侧的欧姆接触电极；所述栅格状隔离结构，为SiO₂或者SiN_x的凸起薄膜形成的栅格结构，每个栅格内均分布一个发光单元，栅格状隔离结构将发光单元的侧面均隔离开来；栅格状隔离结构首先通过PECVD方式在所述导电衬底上沉积SiO₂或者SiN_x薄膜，再利用干法ICP刻蚀出栅格状隔离结构，栅格底部中裸露出所述导电衬底，作为每个发光单元的外延窗口；所述金属电极区，沿发光单元列的方向，相邻两列发光单元之间均设有金属电极，金属电极利用电子束蒸镀法在SiO₂或者SiN_x凸起薄膜的栅格状隔离结构上蒸镀金属铝(Al)，在相邻两发光单元之间的金属电极用SiO₂钝化层覆盖在除p侧电极引线区域以外的区域以，在边缘的金属电极除电流注入区之外用SiO₂钝化层覆盖。

2.按照权利要求1所述的一种全彩色平面排列的Micro-LED阵列制备方法，其特征在于，相邻两个发光单元之间的间距为10um～100um。

3.按照权利要求1所述的一种全彩色平面排列的Micro-LED阵列制备方法，其特征在于，衬底是硅、碳化硅、氮化镓或者砷化镓。

4.按照权利要求1所述的一种全彩色平面排列的Micro-LED阵列制备方法，其特征在于，SiO₂或者SiN_x薄膜厚度为1um～2um。

5.按照权利要求1所述的一种全彩色平面排列的Micro-LED阵列制备方法，其特征在于，所述的红光发光单元结构自下而上包括GaAs缓冲层、n型AlGaAs/AlAs的DBR、n型AlGaInP下限制层、多量子阱发光区、p型AlGaInP上限制层、p型GaP电流扩展层。

6.按照权利要求1所述的一种全彩色平面排列的Micro-LED阵列制备方法，其特征在于，所述的蓝、绿光发光单元结构自下而上包括AlN缓冲层、GaN缓冲层、n型GaN包层、多量子阱发光区、p型AlGaN上限制层、p型GaN接触层。