[发明专利]在基板上形成膜层的方法和在基板上形成膜层的设备

说明书

本发明公开了一种在基板上形成膜层的方法及设备。方法包括：在检测区域设置检测板，检测板包括至少一个检测单元，每个检测单元都包括间隔设置的第一检测电极和第二检测电极；形成膜层，包括目标膜层和检测膜层，检测膜层填充满第一检测电极和第二检测电极之间的间隔；在形成膜层的过程中，检测所述检测膜层的厚度，根据厚度以及成膜时间，计算已经形成的膜层的成膜速率，根据该成膜速率，调节当前的成膜速率。能够准确检测基板上所形成检测膜层的厚度，并根据检测膜层的厚度以及成膜速率指导目标膜层的生产工艺，有效提高生产速率，提高膜层的工艺良率。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种在基板上形成膜层的方法以及一种在基板上形成膜层的设备。

背景技术

有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)，是一种利用有机半导体材料制成的薄膜发光器件，其具有自发光的特性。OLED主要采用较薄的有机材料涂层和玻璃基板制成，而且无需背光源。因此，当有电流通路时，这些有机材料就会主动发光。由于OLED依赖于电流驱动，因此OLED的发光亮度与流经该OLED的电流大小有关，作为驱动的薄膜晶体管(Thin-film transistor，TFT)的电学性能和稳定性的优劣直接影响上述OLED的显示效果，尤其是当TFT基板膜层材料的膜厚控制不精准时，这会导致整个OLED显示器件出现显示不均匀的问题。

现有的测量TFT基板，为了监控所形成的膜层的厚度，对于金属膜层(例如栅极、源漏极和像素电极)，会在金属膜层制作完成时，测试金属膜层的方块电阻；对于非金属层(例如绝缘层)，则在非金属膜层制作完成时，通过折射率计算得到光学膜厚；对于有源层，在有源层制作完成时，采用氧含量法计算膜厚，例如，通过测试氧含量表征膜厚。

但是，上述方法由于均是在膜层制作完成以后，再对所形成的膜层的厚度进行检测，并不能够实时监测工艺过程中的膜厚，其次，通过折射率计算得到光学膜厚以及通过采用氧含量法计算膜厚的方法中，会存在测量误差。另外，上述方法显然也不能够实现实时监控成膜速率。

因此，如何设计一种能够在形成膜层的过程中准确检测膜层厚度的膜层形成方法成为本领域亟待解决的技术问题。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种在基板上形成膜层的方法以及一种在基板上形成膜层的设备。

为了实现上述目的，本发明的第一方面，提供一种在基板上形成膜层的方法，所述基板包括目标区域和位于所述目标区域外的检测区域，所述方法包括：

在所述检测区域设置检测板，所述检测板包括至少一个检测单元，每个所述检测单元都包括间隔设置的第一检测电极和第二检测电极；

形成膜层，所述膜层包括位于所述目标区域的目标膜层和位于所述检测板的检测膜层，其中，所述检测膜层填充满同一个检测单元中的所述第一检测电极和所述第二检测电极之间的间隔；

在形成膜层的过程中，检测所述检测膜层的厚度；

根据所述检测膜层的厚度以及成膜时间，计算已经形成的膜层的成膜速率；

根据已经形成的膜层的成膜速率，调节当前的成膜速率。

优选地，所述检测板包括多个所述检测单元，所述检测膜层填充满各个检测单元中的所述第一检测电极和所述第二检测电极之间的间隔；

所述检测所述检测膜层的厚度的步骤包括：

分别检测各个检测单元内的各检测膜层的厚度；

计算检测到的各检测膜层的厚度的平均膜厚，以所述平均膜厚作为所述检测膜层的厚度。

优选地，所述检测板包括多组检测单元；