[发明专利]在基板上形成膜层的方法和在基板上形成膜层的设备

权利要求书

1.一种在基板上形成膜层的方法，其特征在于，所述基板包括目标区域和位于所述目标区域外的检测区域，所述方法包括：

在所述检测区域设置检测板，所述检测板包括至少一个检测单元，每个所述检测单元都包括间隔设置的第一检测电极和第二检测电极；

形成膜层，所述膜层包括位于所述目标区域的目标膜层和位于所述检测板的检测膜层，其中，所述检测膜层填充满同一个检测单元中的所述第一检测电极和所述第二检测电极之间的间隔；

在形成膜层的过程中，检测所述检测膜层的厚度；

根据所述检测膜层的厚度以及成膜时间，计算已经形成的膜层的成膜速率；

根据已经形成的膜层的成膜速率，调节当前的成膜速率。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述检测板包括多个所述检测单元，所述检测膜层填充满各个检测单元中的所述第一检测电极和所述第二检测电极之间的间隔；

所述检测所述检测膜层的厚度的步骤包括：

分别检测各个检测单元内的各检测膜层的厚度；

计算检测到的各检测膜层的厚度的平均膜厚，以所述平均膜厚作为所述检测膜层的厚度。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述检测板包括多组检测单元；

所述形成膜层的步骤包括：分别形成多层膜层子层，多层膜层子层的材料不完全相同，包括位于目标区域的多层目标膜层子层和位于检测板的多层检测膜层子层，其中，每组检测单元中的检测膜层子层的层数相同，不同组检测单元中的检测膜层子层的层数不同；

所述检测所述检测膜层的厚度的步骤包括：

分别检测各组检测单元内的各检测膜层子层的厚度。

4.根据权利要求1至3中任意一项所述的方法，其特征在于，所述根据已经形成的膜层的成膜速率，调节当前的成膜速率的步骤包括：

将已经形成的膜层的成膜速率与预设成膜速率进行比较；并且，

当所述已经形成的膜层的成膜速率小于预设成膜速率时，提高当前的成膜速率；

当所述已经形成的膜层的成膜速率大于所述预设成膜速率时，降低当前的成膜速率。

5.根据权利要求1至3中任意一项所述的方法，其特征在于，所述第一检测电极包括多个间隔设置的第一指部，多个所述第一指部电连接，所述第二检测电极包括多个间隔设置的第二指部，多个所述第二指部电连接；其中，同一个所述检测单元中，所述第一指部和所述第二指部交替排列。

6.根据权利要求1至3中任意一项所述的方法，其特征在于，所述膜层包括绝缘层，所述第一检测电极和所述第二检测电极同层设置；

所述检测所述检测膜层的厚度的步骤包括：

检测所述第一检测电极和所述第二检测电极之间的电容；

根据所述电容计算所述检测膜层的厚度；

其中，根据下述公式计算所述检测膜层的厚度：

D＝(4π*k*C*d)/(ε*L)；

其中，D为检测膜层的厚度，k为静电力常量，C为第一检测电极和第二检测电极之间的电容，d为第一检测电极和第二检测电极之间的距离，ε为检测膜层的介电常数，L为第一检测电极和第二检测电极之间的相对投影长度。

7.根据权利要求1至3中任意一项所述的方法，其特征在于，所述膜层包括导电膜层，所述第一检测电极和所述第二检测电极同层设置；

所述检测所述检测膜层的厚度的步骤包括：

检测所述第一检测电极和所述第二检测电极之间的电阻；

根据所述电阻计算所述检测膜层的厚度。