[发明专利]一种衰减结构及测试系统有效
申请号: | 201711229323.8 | 申请日: | 2017-11-29 |
公开(公告)号: | CN108011163B | 公开(公告)日: | 2020-12-29 |
发明(设计)人: | 王典 | 申请(专利权)人: | 加特兰微电子科技(上海)有限公司 |
主分类号: | H01P1/22 | 分类号: | H01P1/22;G01R29/08 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 孟金喆 |
地址: | 201210 上海市浦东新区自由贸易试验区盛夏*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 衰减 结构 测试 系统 | ||
1.一种衰减结构,其特征在于,用于模拟信号传播过程中的路径损耗,所述衰减结构包括:顶层金属、底层金属、以及位于所述顶层金属和底层金属之间的介质层;
所述介质层包括多个通道限制过孔,所述多个通道限制过孔连续设置构成至少两条折线,在所有相邻的两条所述折线之间形成连续的信号传输通道,所述通道限制过孔还用于连接所述顶层金属和所述底层金属,以形成封闭结构,并构成波导通路;
所述介质层还包括反射抑制过孔,所述反射抑制过孔位于折线形所述信号传输通道的拐角处,用于降低所述信号传输通道拐角处的信号反射。
2.根据权利要求1所述的衰减结构,其特征在于,所述顶层金属和所述底层金属均包括铜箔。
3.根据权利要求1所述的衰减结构,其特征在于,所述介质层包括单层介质材料。
4.根据权利要求1所述的衰减结构,其特征在于,包括多个所述介质层和多个金属层,所述金属层包括所述顶层金属和所述底层金属;
其中,多个所述金属层依次叠置,相邻两个所述金属层之间设置有一个所述介质层。
5.根据权利要求1~4任一项所述的衰减结构,其特征在于,相邻的两个所述通道限制过孔之间的距离小于所述通道限制过孔的直径。
6.根据权利要求1~4任一项所述的衰减结构,其特征在于,所述信号传输通道的宽度W为:
其中,W为所述信号传输通道两侧所述通道限制过孔的中心之间的最短距离,c为光速,fc为所述衰减结构的截止频率,εr为所述介质层的介电常数,R为所述通道限制过孔的直径,s为相邻两个所述通道限制过孔的之间的间距。
7.根据权利要求1~4任一项所述的衰减结构,其特征在于,所述信号传输通道的长度与所述衰减结构输入信号的衰减值相匹配。
8.根据权利要求1~4任一项所述的衰减结构,其特征在于,所述信号传输通道包括多个拐角处,相应的,所述介质层包括与多个所述拐角处对应的多个所述反射抑制过孔。
9.根据权利要求1~4任一项所述的衰减结构,其特征在于,所述衰减结构用于模拟毫米波段信号传播过程中的路径损耗。
10.一种测试系统,其特征在于,包括:波源产生器、被测件、至少两个连接器、以及至少一个权利要求1~9任一项所述的衰减结构;
所述波源产生器的信号输出端通过所述连接器与所述衰减结构的输入端连接,用于产生微波信号;
所述衰减结构的输出端通过所述连接器与所述被测件连接,用于对所述微波信号进行衰减,并输出衰减信号,以对所述被测件进行测试。
11.根据权利要求10所述的测试系统,其特征在于,所述连接器包括微带线、介质集成波导中的至少一种。
12.根据权利要求10所述的测试系统,其特征在于,所述衰减结构包括第一衰减结构和第二衰减结构。
13.根据权利要求12所述的测试系统,其特征在于,所述第一衰减结构的衰减值与所述第二衰减结构的衰减值不同。
14.根据权利要求13所述的测试系统,其特征在于,所述第一衰减结构与所述第二衰减结构具有相同的反射抑制过孔。
15.根据权利要求10~14中任一项所述的测试系统,其特征在于,所述测试系统为自动化测试系统。
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